英诺赛科/英飞凌GaN创新:1200V;集成二极管

2025-04-16

插播:5月15日,“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办,演讲或摊位咨询请联系许若冰(hangjiashuo999)。

4月14日,英诺赛科与英飞凌先后发布GaN创新产品,分别以高压平台突破与集成化方案推动行业技术迭代:

● 英诺赛科:1200V氮化镓产品实现量产,瞄准800V新能源汽车、工业与AI基建;

● 英飞凌:首创集成肖特基二极管GaN方案,旨在降低工业应用门槛。

英诺赛科:

发布1200V高压GaN器件

4月14日,英诺赛科(02577)发布公告,宣布自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品已实现量产。

据介绍,该产品凭借其宽禁带特性,在高压高频场景中展现出显著优势,具备零反向恢复电荷的核心优势,有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化,可广泛应用于新能源车、工业及AI数据中心等领域。

具体来看,该产品的突破性设计不仅解决了800V电动汽车平台的车载充电系统效率瓶颈——通过缩小设备体积延长续航里程,还支持AI数据中心的高压总线架构,实现服务器电源的高密度电能转换。

目前,该产品已经过客户验证,并在中大功率电源方面实现量产,未来将进一步应用于新能源汽车和AI数据中心等领域。

值得一提的是,英诺赛科已确认参编《2024-2025氮化镓(GaN)产业调研白皮书》,届时将在白皮书中披露更多先进GaN技术的最新进展。其他参编单位还包括能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等,欢迎更多GaN领域的行家企业加入,一同推动氮化镓产业的进步,参编咨询请联系许若冰:hangjiashuo999。

英飞凌:

推出集成化GaN方案

同日,英飞凌官网宣布推出全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。

据介绍,该产品通过消除传统方案中的死区时间损耗,将系统效率额外提升5%;该集成解决方案简化了功率级设计并降低了 BOM 成本。

英飞凌透露,首款量产的100V/1.5mΩ型号采用紧凑的3×5mm封装,适用于服务器和电信 IBC、DC-DC 转换器、USB-C 电池充电器的同步整流器、大功率 PSU 和电机驱动器。

本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

其他人都在看:

英诺赛科公布业绩:营收超8.2亿,车规GaN增长986%

平湖实验室:沟槽SiC MOS新工艺,无需离子注入

天岳先进:SiC收入近15亿,产销量实现翻倍

行家说三代半 向上滑动看下一个

行家说三代半 写留言 ,选择留言身份