新增5起SiC合作：光储充/8吋/切磨抛/石墨耗材...

近日，碳化硅领域新增了多起合作案，涉及光储充应用、衬底、切磨抛、石墨耗材等环节：

● 南砂晶圆&中机新材：签订战略合作框架协议，就SiC晶圆切磨抛达成合作。

● 杰平方&云充科技：将开展SiC在光储充产品上的应用合作。

● Soitec&X-FAB/东洋炭素：共同开发SmartSiC衬底、器件等。

● 宾夕法尼亚州立大学&摩根：双方就碳化硅石墨材料等内容达成合作。

南砂晶圆&中机新材：

签订战略合作框架协议

5月23日，据“中机新材”官微消息，南砂晶圆一行于本月15日到访中机新材，双方就SiC晶圆研磨抛光环节达成合作。

据悉，南砂晶圆参观了中机新材SiC切磨抛耗材的生产车间、质检车间及技术研发中心，在深入交流后双方进行了正式的会晤，并签订了战略合作框架协议。

中机新材成立于1992年，专注于针对硬脆材料及先进制造所需的高性能研磨抛光材料的技术研发、生产及销售。尤其在第三代半导体SiC晶圆研磨抛光应用领域，他们取得了多项关键性技术突破，并持续满足客户的高质量和稳定性的供应服务。

南砂晶圆方面，根据“行家说三代半”此前报道，他们正在布局8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目，该项目位于山东济南，由全资子公司中晶芯源负责建设，将进行碳化硅单晶生长和衬底加工生产，预计2025年实现满产达产。

杰平方&云充科技：

将展开SiC光储充产品合作

近日，据杰平方半导体披露，珠海云充科技有限公司一行于5月21日到访杰平方，双方就后续深入合作作了充分交流。

据悉，云充科技对杰平方SiC在其产品应用上的出色表现表示了充分肯定和感谢，双方对未来SiC在充电桩产品/PCS储能产品/AI服务器前端电源的合作做了充分展望。双方一致同意将继续强化战略合作，进一步推动国产SiC功率器件在光储充领域的应用。

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Soitec&X-FAB/东海炭素：

共同开发SmartSiC衬底、器件

5月22-23日，Soitec先后宣布与2家企业就SmartSiC产品的开发制造达成合作：

● Soitec & X-FAB：

5月23日，X-FAB和Soitec共同宣布，双方在经过评估阶段后正式达成合作，Soite将为X-FAB位于德克萨斯州拉伯克的工厂供应SmartSiC晶圆，用于生产碳化硅功率器件。

在此前的评估阶段，X-FAB采用了150mm SmartSiC 晶圆生产碳化硅功率器件。Soitec将通过联合供应链委托模式，为X-FAB的客户提供获得SmartSiC衬底的便利。

Soitec表示，使用SmartSiC衬底能够使X-FAB的客户设计出更小的器件。“行家说三代半”了解到，SmartSiC基于Soitec专有技术SmartCut工艺，可提高碳化硅单晶衬底的重复利用率，实现高水平的导电性和导热性。其研究表明，SmartCut SiC可将碳化硅衬底的电阻率降低至少4倍，电阻率的显著降低可以使SiC MOSFET尺寸缩小5-15%。

● Soitec & 东洋炭素

5月22日，Soitec宣布与东洋炭素建立了战略合作伙伴关系，共同开发多晶碳化硅衬底，以专门供应Soitec SmartSiC晶圆。

根据合作协议，东洋炭素将向Soitec 供应6英寸和8英寸的多晶硅片，两家公司旨在利用各自的研发能力来加强 SmartSiC 生态系统。东洋炭素将利用其在多晶碳化硅（polySiC）方面的技术和制造能力去配合Soitec SmartSiC的生产，预计将为SmartSiC晶圆产量的提升做出战略贡献。

宾夕法尼亚州立大学&摩根：

合作开发碳化硅

5月21日，据外媒消息，宾夕法尼亚州立大学和摩根先进材料公司签署了一份谅解备忘录（MOU），以促进SiC的研发。

据介绍，该协议为期5年，合同价值达数百万美元；摩根将加入宾夕法尼亚州立大学碳化硅创新联盟（SCIA，4月初启动），并向宾夕法尼亚州立大学提供碳化硅开发所需的石墨材料和解决方案，供内部和外部合作伙伴使用。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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