IPO、多笔订单...3家GaN企业披露进展
近日，“行家说三代半”观察到，3家GaN企业/机构在最近披露了其最新业务进展：
●台亚半导体：旗下氮化镓子公司或将上市，产品已送多家客户验证；
●韩国电子电信研究所：150nm氮化镓器件研发成功，将提供代工服务；
●BelGaN：第一代氮化镓平台获多家客户认可并将批量生产。
台亚半导体：
氮化镓子公司或将IPO
4月11日，据中时新闻网报道，台亚半导体当日召开重大讯息记者会。会上，他们透露拟将8英寸氮化镓业务及相关资产分割给旗下全资子公司——冠亚半导体，预计分割营业价值为10亿元新台币（约合人民币2.2亿）。
台亚半导体策略长李国光博士表示，他们正在逐步打造“亚家军”等集团子公司，预计推动第三代化合物半导体、视觉显示、IC设计等子公司分批IPO上市计划，这次涉及GaN业务的冠亚半导体分割案就是“亚家军”计划的一部分。
值得关注的是，台亚半导体总经理衣冠君还透露，他们的氮化镓项目正在加速发展，一方面充分利用现有设备及产能，并计划添加新设备；另一方面，已经有多个客户与其展开氮化镓产品的信赖验证，客户反馈有数个晶片的验证效果与国际一线大厂相当，正推动相关验证程序，希望今年将贡献营收。
根据“行家说三代半”此前报道，台亚半导体氮化镓初期产能建置以6英寸晶圆为主，而其8英寸GaN英寸产线有望于2023年底前完成置备，目标设定在2024年底前达成每月3000片的出货量。
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韩国电子电信研究所：
实现150nm氮化镓技术突破
近日，韩国电子电信研究所宣布，他们针对150nm氮化镓半导体技术的国产化进行了代工试点研究，并首次完成了150nm氮化镓电子器件和MMIC（单片微波集成电路）技术的开发。
据研究人员透露，目前150nm氮化镓半导体只有全球六家机构提供代工厂生产，而由于缺乏生产氮化镓半导体芯片的大规模生产和设计环境，国内企业完全依赖进口。另一方面，GaN器件的工作频率受器件栅极长度的影响最大，可制造的MMIC的工作频率一般被限制在X波段（~8GHz）以下的频段。
如今，韩国电子电信研究所提供的氮化镓150nm级设计可在20GHz~30GHz下工作，他们将为国内企业提供相关工艺设计套件（PDK）和晶圆代工服务。
一方面，他们提供的工艺设计套件包括器件信息、模型、布局和电路验证，为MMIC设计提供了环境，降低了用户轻松利用晶圆代工服务的门槛。此外，研究人员还能够显着提高设备的性能，并生产支持Ka波段频段的MMIC，他们已经完成了MMIC组件的工艺技术和设计技术的开发，包括决定电子器件特性的微栅极形成技术。
同时，韩国电子电信研究在旗下化合物工厂完成制造和设备性能验证后，已经开始代工试验服务，并在韩国提供了用于移动通信的300~400nm（0.3~0.4um）GaN半导体代工厂的商业服务。
BelGaN：
获得多笔氮化镓订单
3月，据外媒报道，BelGaN宣布他们的“BEL1 650V eGaN 平台”已获得多个主要客户的订单并准备批量生产，并计划扩大位于欧洲的氮化镓工厂。
BelGaN首席执行官Alan 周博士等表示，在公司成立仅 2 年后，他们的 BEL1 平台正式发布，作为 BEL1 版本的一部分，BelGaN 还提供多项独特的代工服务，包括为其客户提供虚拟 IDM 业务模式；目前，BelGaN已经与30多家全球氮化镓客户进行合作。
官网资料显示，BelGaN成立于2021年，是位于比利时的领先车规级氮化镓开放式晶圆代工厂，长期以来专注于 IDM 的研究和制造设施，其产品主要供应汽车、工业和医疗应用。
根据“行家说三代半”此前报道，2023年8月，BelGaN宣布他们已经将其第一代 650V eGaN技术投入生产，并且其Gen1 技术预计将达到世界领先性能；2022年2月，BelGaN收购了安森美的比利时奥德纳尔德 6 英寸晶圆厂，计划改造成6英寸和8英寸的氮化镓功率器件代工厂。
注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
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