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主驱碳化硅模块新技术,无需陶瓷基板
行家说三代半 · 2026-09-19

最近,Littelfuse全球首席应用工程师Martin Schulz发文公布了他们与德国戴姆勒卡车集团、Steinbeis研究所合作的一项主驱功率模块技术创新成果。

据介绍,Littelfuse和戴姆勒卡车合作开发了一种非隔离式的功率模块架构,该架构通过取消陶瓷基板,改用绝缘冷却液,从而将功率模块的热量降低78%以上,同时功率循环寿命提升了100倍。

目前,他们正在将原型产品组装到功能齐全的逆变器中,先在实验室中进行满载测试,随后将进行道路测试和测功机验证。

2种功率模块结构示意图

这些研究所瞄准商用车逆变器。据Littelfuse介绍,商用车的功率模块散热压力比乘用车要大。这是因为重型卡车或大巴的电驱逆变器通常体积小于5 dm³,但是其功率至少高达600 kW,功率密度要求高达约120 kW/dm³。由于功率大,即便逆变器的效率高达99%,仍有约 6000W的损耗会变成热量,需要采用液冷等形式将热量排出。

而将这些热量高效排出的瓶颈在功率模块内部。这是因为传统功率模块通常采用陶瓷基板,将IGBT或者碳化硅芯片与冷却系统进行电气隔离,这是必要的安全性措施。但是隔离材料通常的导热性都比较差(无论是陶瓷基板还是其他材料),因此陶瓷基板是IGBT或者碳化硅芯片耗散热量的最大障碍。

如下图所示,功率模块的芯片热量散热路径非常多级:芯片→焊料→AMB/DBC基板(铜→陶瓷→铜)→焊料→铜基板→散热片。

功率模块结构与散热路径

而在主驱逆变器的实际安装中,通常会把IGBT/碳化硅模块安装到封闭式的液体冷板上,为了提升散热能力,功率模块的底部会增加针鳍等表面结构来增加湍流和接触面积,但最大的热阻层——陶瓷基板依旧存在。

传统功率模块的电气隔离是用陶瓷基板把IGBT/碳化硅芯片与冷却液隔开,而Littelfuse和戴姆勒卡车采取不同的思路——让冷却液本身提供隔离功能。

据介绍,他们合作开发了一种非隔离式功率半导体组件,将IGBT和二极管直接安装到液冷板上,利用冷却液本身的介电特性作为隔离屏障,这样就消除了传统模块的陶瓷基板和其他焊料层、铜基板等若干堆叠层。据介绍,这种隔离冷却液采用了去离子水/乙二醇混合物。

Littelfuse和戴姆勒卡车认为,这种将隔离功能转移到器件周围的介电冷却液的新型设计,可以带来系统效率、功率循环寿命、可靠性和材料成本等好处。

基于IGBT/二极管(单芯片1200 V/150 A),他们构建了一个4并模块进行测试,模块使用专有的接铜夹片互连技术来降低电阻损耗和工作温度。

测试结果显示,结到冷却液的热阻低于0.08 K/W,整个模块在热极限内可持续承载800 A直流,同时冷板可轻松将模块产生的1300 W热量带走(前面提到6000W,降幅达到78%以上)。

该研究团队通过梅赛德斯-奔驰GenH2卡车的700公里运行循环测试表明,与传统的隔离式模块相比,水/乙二醇冷却的非隔离式设计使IGBT结温降低了82.9 K,二极管结温降低了87.8 K,同时使模块总损耗降低了约15%。

同时,这种更低的结温和更小的温度波动能大幅提高模块的功率循环寿命。结合铜夹片互连方式和温度波动的降低,根据测试结果,与传统的焊料键合、陶瓷绝缘设计相比,新的非隔离式设计的功率循环能力至少提升两个数量级。这一改进使该设计的寿命从数十万次循环提升至数千万次循环。

该团队表示,这项技术并不局限于硅基IGBT,同样的架构也可用于碳化硅MOSFET。

本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

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