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4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
行家说三代半 · 2026-07-29
4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
近期,国内外多家碳化硅企业宣布合作进展,均聚焦于高压碳化硅技术落地:
昕感科技&西电技所:重点突破10kV碳化硅芯片及4500V IGBT芯片工艺;
英飞凌&LS ELECTRIC:合作开发固态变压器、固态断路器等;
纳微&Magnachip:达成战略合作,加速高压和超高压碳化硅技术应用;
SK Powertech&Root Semicon:完成1200V SiC制造工艺开发,后者还将研发3.3kV SiC器件。
昕感科技&西电技所:攻关10kV SiC芯片技术
7月21日,据昕感科技官微透露,他们已与西安电力电子技术研究所开展高压碳化硅芯片研发及战略投融资合作探讨。
4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
在技术协同层面,双方团队重点围绕10kV碳化硅芯片及4500V IGBT芯片两大项目展开交流。依托昕感科技在功率半导体芯片设计、工艺开发与规模化量产等方面的优势,以及西电技所在超特大功率器件研发、测试验证及标准制定方面的积淀,双方将联合攻关两大芯片关键技术,突破高端功率半导体技术瓶颈。
在战略协同层面,双方将积极推进共建联合创新平台,在万伏级碳化硅芯片设计、超高压器件工艺开发、可靠性验证及产业化应用等环节开展系统性合作,推动创新链与产业链深度融合。
未来,昕感科技与西电技所将充分发挥各自优势,以10kV碳化硅芯片和4500V IGBT芯片项目为切入点,在技术攻关、平台共建、人才交流与项目投资等方面开展务实合作。
4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
英飞凌&LS ELECTRIC:
合作开发SST、SSCB等
7月13日,英飞凌在官网宣布,他们与韩国电力方案供应商LS ELECTRIC签署了一份谅解备忘录(MoU),双方将合作开发用于人工智能数据中心和下一代电网的高效直流(DC)电力基础设施解决方案。
4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
此次合作将聚焦于关键的直流基础设施领域,包括储能系统的电源转换系统、固态变压器(SST)和固态断路器(SSCB)。值得注意的是,英飞凌此前已与为光能源、臻驱科技、SolarEdge、DG Matrix、西门子等企业达成SST或SSCB合作,主要提供1.2kV/3.3kV碳化硅MOSFET。
根据谅解备忘录的条款,英飞凌此次将提供涵盖功率半导体、微控制器和电源控制解决方案的半导体产品组合。LS ELECTRIC将利用其在电力系统和工业自动化领域的专业知识,推动系统级集成和实施。
LS ELECTRIC成立于1974年,主要提供智能电源方案、智能自动化解决方案、智能铁路解决方案,在韩国与中国无锡均布置了研发中心。2025年,LS ELECTRIC的销售额为49657.99亿韩元(约合人民币229.31亿元),净利润为2842.57亿韩元(约13.13亿元人民币)。
今年7月,LS ELECTRIC宣布韩国天安工厂竣工,这是一座采用直流配电技术的制造工厂,它整合了LS ELECTRIC的各种核心直流专用设备,包括固态变压器 、固态断路器和储能系统,主要生产储能PCS产品。
4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
纳微&Magnachip:
达成超高压SiC技术授权
7月24日,Magnachip宣布与纳微半导体建立战略合作伙伴关系,将加速高压和超高压碳化硅技术的应用。
根据协议条款,Magnachip将获得纳微半导体的GeneSiC™沟槽辅助平面™ (TAP)技术授权,从而进入高压和超高压SiC市场。该授权涵盖1200V、2300V、3300V及更高电压的GeneSiC技术,使Magnachip能够基于成熟的SiC器件平台,开发用于下一代功率转换应用的产品。
Magnachip还将获得纳微半导体的碳化硅供应链和材料生态系统,从而加快其市场准入速度。同时,该技术计划在Magnachip位于韩国的晶圆厂进行移植、认证和内部化。
Magnachip与纳微半导体还表示,该协议涵盖的合作范围不仅限于碳化硅领域。预计未来将公布更多合作领域的详细信息。
Magnachip是一家设计和制造模拟及混合信号功率半导体平台解决方案的厂商,功率解决方案产品组合包括MOSFET和功率IC技术,其产品广泛应用于工业、汽车、通信、消费电子和计算机等领域。
2026年第一季度,Magnachip营收同比增长3.3%,达到4620万美元,其中功率集成电路业务收入为456.1万美元,同比增长6.2%,毛利率为40.4%,同比下降6.1%。
SK Powertech&Root Semicon:
完成1200V SiC制造工艺研发
7月16日,据韩国电子时报等媒体报道,Root Semicon和SK Powertech宣布,双方已完成1200V碳化硅MOSFET的制造工艺,首款试制品(ER)的平均良率已达到80%。
去年4月,两家公司签署了“SiC MOSFET代工产品开发协议”,并启动了全面联合开发,该产品正是双方合作的成果。基于此,Root Semicon将摆脱对海外代工厂的依赖,并将生产基地转移至韩国本土的SK Powertech。
SK Powertech是SK集团旗下的SiC功率半导体设计和制造公司,其于2025年11月被SK启方半导体收购。产能方面,SK Powertech最早拥有4英寸和6英寸SiC晶圆的生产设施,每年可生产 1.44万片晶圆,2023年釜山新工厂正式投产后,新增碳化硅晶圆产能2.9万片/年。
据“行家说三代半”此前报道,RootSemicon是韩国一家功率半导体设计公司,专注于碳化硅功率半导体的设计与开发。今年6月,RootSemicon已被选定为开发韩国本土3300V碳化硅功率模块项目的牵头机构。
针对这一项目,RootSemicon将负责生产SiC器件,SemiPowerEx将负责将其封装成模块,Intec Electric & Electronic将负责采购成品。器件制造中使用的外延片将由Arke公司供应。
4起高压SiC合作落地,剑指3.3KV/10kV
本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。
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