荣获EESTAR！英诺赛科800V HVDC 方案赋能AI智算
随着 AI 算力需求爆发，数据中心单机架功率密度呈百倍级提升，传统低压交流供电架构面临能耗过高、空间不足、扩容困难等瓶颈，800V 高压直流 HVDC 成为下一代智算中心主流供电革新路线。受物理特性限制，硅基与碳化硅器件难以满足 HVDC 架构高频、高效、小型化的电源转换需求，氮化镓凭借独有的材料优势，成为该技术路线不可或缺的核心功率器件。
在2026第一届电源网方案大会上，英诺赛科全氮化镓（All-GaN）12KW 800V-50V的数据中心HVDC供电方案首次亮相，并凭借98.63%的超高效率和极致的功率密度获评 EESTAR 最佳方案奖。
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今年3月，英诺赛科还凭借该方案在 2026 NVIDIA MGX 大会上斩获 NVIDIA MGX 生态合作伙伴奖，成为唯一一家入选的中国芯片企业。
方案亮点
极致能效，大幅降低算力成本
依托自研氮化镓器件的高频低损耗优势，采用All-GaN LLC 架构，方案满载效率高达98.2%，峰值效率突破98.6%，能效行业领先。相较于传统Si方案，开关损耗与驱动损耗大幅下降，降低发热、减轻制冷压力，从而缩减算力成本，助力实现低碳减碳目标。
高频小型化，打造超高功率密度
方案设计极致紧凑，变压器、电感等磁性无源器件体积大幅缩小，功率级尺寸仅60mm* 124mm *11mm，实现电源模块小型化、轻量化设计。同时精简铜材、线缆用量，降低成本，完美适配AI高密度机柜、液冷智算中心的部署需求。
模块化灵活扩容，适配算力迭代升级
方案采用All-GaN 设计，LLC初级侧采用级联架构（8颗650V GaN），次边侧采用同步整流（32颗100V GaN），标准化12kW功率单元可灵活堆叠，轻松实现从百千瓦到兆瓦级机柜供电升级，硬件复用率高，迭代成本更低。
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英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK)是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路(IC)以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓(GaN)解决方案。凭借已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。
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