又一SiC企业启动IPO，拟募资近30亿
5月15日，苏州华太电子技术股份有限公司提交的科创板首次公开发行股票（IPO）申请已正式获得受理。同日，上海证券交易所披露了华太电子的招股说明书（申报稿）。
华太电子成立于2010年，主要从事射频业务、功率业务相关产品的研发、生产与销售，采取虚拟 IDM 和 Fabless 相结合的经营模式，拥有碳化硅RugSiC功率器件/模块、GaN射频功放器件/模组等原创核心技术。
以下，本文将基于招股书文件，重点报道华太电子的SiC及GaN业务、营收状况、产销情况、募资项目等进展。
SiC及GaN业务进展
目前，华太电子功率业务主要包括功率分立器件（碳化硅RugSiC功率产品、超级结 IGBT、FS IGBT）、功率模块（IGBT 模块、SiC 模块）、专用模拟芯片、高性能 MCU 等，主要面向光伏、储能、充电桩、服务器电源、新能源汽车、智能终端等行业。
在经营模式上，华太电子基于虚拟IDM模式，建立了多个工艺平台。其中SiC器件平台包括 650V、 1200V 等平台系列产品，采用无栅氧、正阈值 PGate 结构设计，有效规避了传统 SiC MOSFET 因栅氧可靠性问题所带来的技术挑战。
此外，华太电子开发的RugSiC功率器件已具备兆赫兹级高频工作能力，能够支撑服务器电源、车载充电机等场景的高频化设计需求。华太电子还延伸布局了基于碳化硅材料的SiC射频功放技术，其SiC射频功放芯片采用同质外延制备，避免了GaN-on-SiC异质外延的晶格失配问题。
华太电子表示，他们将以RugSiC等创新半导体产品为核心切入点，构建覆盖器件建模、 制造工艺、芯片设计至功率模块封装测试的全产业链布局，聚焦 AI 服务器电源、光伏、固态变压器、新能源汽车等战略性市场领域，与行业头部客户建立深度战略合作关系。
射频业务方面，华太电子主要布局了GaN射频功放分立器件与集成模组等产品，其GaN射频功放分立器件最大峰值功率约1200W，工作频率最高支持6GHz。
目前，华太电子的高性能GaN射频功放芯片成功通过三星审核并实现销售，且已向国内头部半导体设备厂商供应3000W射频电源射频功放芯片。
据文件透露，GaN射频功放分立器件和功率模块产品由华太电子全资子公司长沙瑶华负责封装测试。长沙瑶华将自建空腔封测产线， 补齐GaN射频功放芯片产业链最后一环，并已大规模承接 GaN 射频功放芯片 的封装测试服务。
营收状况
据招股书披露，2025年度华太电子的营业收入约为7.26亿元，净亏损约为1.28亿元，其中研发投入占营业收入的比例为40.28%，约为3亿元。
报告期内，华太电子的主营业务收入分为射频业务、功率业务、芯片工程定制业务、IP授权及技术开发服务四大板块。2023年至2025年，射频业务的收入比例最高，分别占据主营业务收入的69.97%、87.63%、90.74%。
功率业务方面，2023年至2025年，华太电子的收入约为0.86亿、0.25亿、0.29亿，分别占主营业务收入的7.67%、3.79%、4.16%。
产销情况
报告期内，华太电子主要产品的产能、产量、产能利用率、销量、产销率情况如下图所示，其中功率芯片的销量分别为96.33万颗、21.05万颗、930.86万颗，2025年销量实现大幅增长。
从主要产品的销售价格及变动情况来看，2024年华太电子的功率芯片单价为7.17元/颗，同比增长106.43%%，但在2025年同比下降74.47%，降至1.83元/颗。
募资项目
3月13日，经华太电子2026年第一次临时股东大会审议通过，华太电子拟公开发行人民币普通股不低于 4,274.85 万股（不含采用超额配售选择权发行的股票数量），实际募集资金扣除发行等费用后，拟按照轻重缓急投资以下项目：
其中，“超大功率 LDMOS 功放器件、射频大功率氮化镓功放器件、大功率单片 射频 LDMOS MMIC、高集成射频模组研发及应用项目”预计建设期为 3 年，项目总投资约为7.69亿元，华太电子将购置研发场地、研发测试软硬件设备，招募相关人员，针对现有产品进行芯片结构优化、 材料工艺改进、电路设计迭代等全方位升级。
“高性能功率芯片、配套芯片及应用方案的研发及应用项目”预计建设期为3年，项目总投资约为4.43亿元。华太电子将通过器件模型开发、电路拓扑优化、算法迭代提升、新型技术应用场景导入等方式，不断提升RugSiC及IGBT解决方案产品性能及市场竞争力，拓宽RugSiC及IGBT解决方案市场份额。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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