加快投产！三安、斯达SiC新项目进度曝光
近日，国内2个SiC项目迎来重大进展：
● 三安半导体：重庆SiC衬底项目首栋楼体顺利封顶；
● 嘉兴斯达：SiC项目成功举办设备搬入仪式，总投资1.3亿元。
三安半导体：
重庆SiC项目封顶
2023年6月，三安半导体的重庆碳化硅项目宣布奠基，半年不到就迎来封顶，速度是真的快。
1月25日，据“湖南六建华西公司”官微消息，重庆三安半导体碳化硅衬底项首栋楼体（B1栋）顺利封顶！
据介绍，该项目于2023年11月15日正式进场施工，施工期为8个月，总面积约5.8万㎡；接下来，B2、B4、C1三栋也将在年前陆续封顶，其余楼栋也会“紧随其后”，将在2024年7月前实现全部交付。
2023年6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括意法半导体和三安光电的资金投入、重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。
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嘉兴斯达：
SiC项目首台设备搬入
2月1日，据“中电二公司”官微消息，嘉兴斯达微电子有限公司余近日举行了“高压特色工艺功率芯片和SIC芯片研发及产业化项目”FAB2首台设备搬入仪式，试投产在即。
据透露，斯达的FAB2项目总投资1.3亿元，拟通过新建厂房、洁净车间及动力站、气站、仓库等配套设施，用于实施高压特色工艺功率芯片的研发和产业化项目。
“行家说三代半”持续关注该项目，并已报道多次——2021年6月，嘉兴斯达募资35亿元建设4个项目，其中包括2个碳化硅相关项目；2个SiC项目落户浙江嘉兴南湖区，属浙江省2023年省重点建设项目；项目建成后，将形成年产72万片功率芯片的生产能力。
注：本文信息来源于政府、企业公告，不代表行家说观点，如果大家有更多项目信息，欢迎给我们爆料，爆料邮箱：celia@hangjianet.com。
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