全国产！主驱级SiC MOSFET高良率达产

近日，澎芯半导体在产品开拓方面取得了多项进展：

● 推出主驱级新品——1200V/15mΩ SiC MOSFET，产出良率75%；

● 已联合模块和终端厂商开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品；

● SiC MOSFET产品系列化布局更加全面，在OBC、光储充等领域实现批量应用。

车规SiC MOS新品 性能优异

12月12日上午，行家说三代半了解到，澎芯半导体1200V电压平台迎来新的成员——1200V/15mΩ的SiC MOSFET产品。

据了解，该产品由澎芯半导体自主设计研发，拥有自主知识产权，并且联手国内标杆SiC晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，产出良率达到75%。

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合作开发 新增2款模块产品

据悉，澎芯半导体在前期工程批已完成各项性能指标的考核验证，现已联合模块客户(模块封装厂)和终端使用客户共同定义开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品。

产品系列化 发展加速提档

随着此产品的推出，澎芯半导体的SiC MOSFET产品系列化布局更加全面，包括以下：

关于澎芯半导体

澎芯半导体自从2021年以来，已推出650V/1200V/1700V多个电压平台的SiC MOSFET产品，而且多款产品已通过车规AEC-Q101认证。据透露，多款产品已在汽车OBC、储能系统、光伏逆变器、充电桩、电池化成、通讯电源和服务器电源等领域批量应用。

国产SiC厂商在全球新能源市场中的竞争力日渐凸显，尤其车规级SiC MOSFET器件的进展突飞猛进，相信未来澎芯半导体将作为国产SiC产品的主力军，为中国SiC发展添砖加瓦。

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