合计超20亿！2个SiC项目加速推进
近段时间，国内又有2家企业在加快推进SiC项目建设：
● 天科合达：投资20亿元，计划年产25万片；
● 臻晶：投资0.9亿元，研究液相法SiC生长。
天科合达：
北京SiC二期项目招标
11月6日，天科合达发布碳化硅衬底产业化基地建设二期项目招标公告，总建筑面积为105100 ㎡，总投资约20亿元。
公开信息显示，该项目位列《北京市2023年重点工程计划》新建项目名单，为扩产项目。该基地计划新建800台碳化硅单晶生长炉及其配套加工设备，可年产碳化硅晶片达25万片，预计于2024年建成投产。
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近年来，天科合达在碳化硅生产业务上增速明显。
• 2021年11月，北京天科合达碳化硅衬底产业化基地项目（一期）完成主体建设，计划年产碳化硅衬底12万片；
• 2022年5月，新疆天科合达宣布碳化硅衬底项目（二期）宣布将竣工达产，可实现年产单晶衬底1500锭、单晶原料50吨；
• 2022年11月，由北京天科合达、重投集团等各方投资建立的第三代半导体产业园在深圳动工，总投资约为22亿元，目标年产6英寸碳化硅单晶衬底片10万片及6英寸碳化硅外延片25万片；
• 2023年8月8日，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目正式动工，总投资8.3亿元，投产后可实现年产碳化硅衬底16万片；
臻晶半导体：
新建SiC晶片研发项目
10月13日，公开信息披露，常州臻晶半导体有限公司碳化硅晶片研发项目正在建设中，目前处于设备安装阶段，尚未投产。
据了解，该项目总投资约0.9亿，总用地面积为4227.96㎡，计划购置碳化硅单晶炉、研磨机、双面粗磨机等101 台(套)相关设备，打造碳化硅晶片研发生产线，从事 6-8 英寸碳化硅晶片研发。
企查查显示，臻晶半导体成立于2020年10月，主要从事碳化硅的液相法晶体研发、生产和销售，已成功研制出大尺寸碳化硅晶体和晶片。目前，公司已完成天使轮与A轮融资，其中，A轮融资金额为数千万人民币。
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