8寸SiC已出口欧洲！这家企业有何秘技？

国内有一家SiC企业，在不到一年时间里“光速”实现了8寸SiC的多项突破：

● 2022年12月，通过电阻法成功研制8寸的SiC单晶；

● 2023年4月，8寸SiC进入中试线生产；

● 6月，实现了8寸SiC单晶的量产关键技术突破；

● 9月，首批自产8寸SiC衬底成功下线；

● 10月，8寸碳化硅产品签约欧洲客户。

这家SiC企业就是科友半导体。科友半导体自成立伊始，就瞄准SiC衬底行业痛点和难点，致力于电阻炉的规模化应用和SiC衬底的产业化推进，并取得了一系列成果，形成了SiC长晶装备和晶体生长自主可控的技术体系。

据介绍，科友半导体8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm-20mm以上。缺陷控制方面，8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-²，位错缺陷密度＜5000个cm-²，晶体质量处于行业领先水平。

目前科友在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本及装备稳定性等方面取得了可喜成绩，并且与欧洲客户签署战略合作协议和器件用8英寸碳化硅晶片的框架协议，接下来将开展样品送检和验证合作，进一步拓展合作内容。

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科友半导体在8寸SiC制备方面有哪些新进展？在大尺寸降本方面又有哪些宝贵的经验？

12月13日，科友半导体已确认参加在深圳举行的行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”。届时，科友半导体研发技术总监张胜涛将出席本次会议，并带来演讲《大尺寸低成本碳化硅产业化技术研发进展》。

嘉宾介绍

张胜涛博士毕业于哈尔滨工业大学。2021年获黑龙江省科学技术进步一等奖，入选哈尔滨市科技创新人才，获评“龙江工匠”荣誉称号。2018年5月-至今，任哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司研发技术总监，负责碳化硅晶体生长与缺陷控制研究。张胜涛博士长期致力于宽禁带半导体装备开发、热场仿真设计及单晶缺陷控制研究，推动大尺寸国产碳化硅材料产业化工作，主持或参与国家重点研发计划、省重大科技成果转化项目、省自然科学基金、市重大科技专项等国家省市重点项目多项，取得了一系列原创成果，率领团队开发首台套创新产品2项，发表半导体领域高水平论文9篇，授权专利10余项，参编国家标准1项。

大会介绍

本届年会将设置2场技术论坛、2天专场展览及1场颁奖盛典等，预计2天活动将有近1000名来自应用终端企业、碳化硅和氮化镓主供应链企业、关键耗材和设备企业的专业人士出席，共同探讨行业未来发展趋势。

除科友半导体外，烁科晶体、百识电子、中科院物理所、三安、普兴电子、安森美、爱发科、英飞凌、华灿光电、安世半导体、罗姆、意法半导体、基本半导体、飞锃半导体等企业也将带来重磅演讲。

与此同时，意法半导体、烁科晶体、百识电子、飞锃半导体、希盟科技、岱美仪器、千叶净化、惠特科技、国顺硅源、惠丰钻石、诚联恺达、长联半导体以及创悦光谱等众多企业将展示最新技术和产品方案（持续更新中...）。

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