100亿/开工/封顶！3大SiC项目传新进展
近日，SiC领域有3个相关项目进入新阶段：
● 三安&意法8寸SiC厂：已动工建设，完成5668方混凝土大体积筏板浇筑。
● 合盛：投资超100亿，建设碳化硅晶圆代工研发及制造基地。
● 晶升股份：总部生产及研发中心项目封顶，研发内容包括6英寸至8英寸SiC单晶炉。
三安&意法工厂：
动工建设
11月29日，据“重庆事业部”消息，重庆事业部九龙厂于近日顺利完成安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目、重庆三安半导体碳化硅衬底项目5668方混凝土大体积筏板浇筑。
目前，该厂房的建设正在有序进行中。
6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括意法半导体和三安光电的资金投入、重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。
签约当天，该工厂已举行了奠基仪式。
合盛：
建设碳化硅晶圆代工项目
11月30日，据“新华网浙江”消息，今年以来，杭州数字经济重大项目招引，100亿元以上签约项目2个，其中涉及一个SiC项目。
该项目为合盛新能源材料和器件模组制造项目，已落地萧山开发区，总投资超100亿元，将主要生产电动汽车、储能、光伏和风电等新能源相关材料和器件。
据“行家说三代半”此前报道，11月，杭州市临空产业发展有限公司发布了一个碳化硅晶圆相关项目的招标公告，项目建设内容包含设计研发总部大楼、器件生产车间等。杭州临空经济示范区位于杭州市萧山区东部，基本可确定该项目建设方即为合盛。
该项目总建筑面积约74688平方米，其中地上建筑面积59750平方米，地下建筑面积约14938平方米；建设完成后将成为国内最为领先的碳化硅晶圆代工研发及制造基地。
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晶升股份：
总部生产及研发中心项目封顶
11月28日，晶升股份官微宣布，他们的总部生产及研发中心项目已顺利封顶。
晶升股份成立于2012年2月，今年4月，晶升股份在科创板成功上市。通过IPO，晶升股份拟募资4.76亿元，将用于总部生产及研发中心建设项目、半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目。
其中，总部生产及研发中心建设项目”拟建设于江苏省南京市南京经济技术开发区，拟建设集经营办公和新产品技术研发于一体的综合性总部大楼与厂房，以研发活动为基础，配备相应的测试及组装环境。项目计划涵盖的主要研发内容如下：
1）半导体硅NPS晶体单晶炉研发；
2）6英寸至8英寸碳化硅单晶炉研发；
3）温度梯度可控单晶炉加热及控制系统。
今年2月，晶升装备总部生产及研发中心建设工程项目举行开工仪式；项目达产后可实现各类晶体生长设备年产量 400余台，将成为研发及生产能力全国领先的晶体生长设备基地。
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