13亿！英诺赛科又宣布2件大事
今天，英诺赛科又宣布2件大事：
全球研发中心正式启用；
获得13亿贷款，扩展8英寸氮化镓产线第二阶段产能。
11月20日，英诺赛科宣布，正式启用全球研发中心。
英诺赛科董事长骆薇薇说，“对英诺赛科来说，全球研发中心并不是一栋普通的大楼，它承载了英诺赛科创业的初心，凝聚了英诺赛科人一路走来的坚定，它的启用时刻正是所有英诺赛科人心中梦想的绽放时刻。”
据了解，该中心建筑面积3.5万平方米，融合展厅、办公、研发等功能于一体，将组建一支超过300人的国际一流研发团队，将开展包括大尺寸Si衬底上GaN基异质结构中的应力控制规律与杂质缺陷研究、开展8英寸Si衬底上GaN基功率电子器件的产业化关键制备工艺及封装技术的研究、开展Si衬底上GaN基功率电子器件的可靠性提升技术及功率集成技术研究，打造新型宽禁带半导体材料与器件研发基地。
加入氮化镓大佬群，请加微信：hangjiashuo666
活动现场，英诺赛科还举行了“8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。
据介绍，中国农业银行股份有限公司苏州长三角一体化示范区分行将牵头组建银团向英诺赛科提供八年期、最高达13亿元人民币的项目融资贷款，以用于支持英诺赛科未来两年的扩产计划。
英诺赛科成立于2015年，是全球领先的氮化镓IDM企业，早在2017年11月就在珠海建成投产全球首条8英寸硅基氮化镓生产线。2018年6月，英诺赛科苏州项目正式落户；2021年6月，英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓生产线宣布量产。
在氮化镓领域中，英诺赛科创下了多个“第一”：
出货量第一：截至2023年8月，其氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗；
2017年11月，其自主研发的中国第一条8英寸硅基氮化镓生产线在珠海通线投产；
英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，其苏州8英寸硅基氮化镓工厂是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；
2022年，GaN HEMT器件出货量率先突破1亿颗；
在国内第一个将低压GaN器件应用在激光雷达中；
全球首个将氮化镓植入手机内部，实现电源分配管理。
其他人都在看：
新增3个SiC项目：15万片；液相法；晶圆代工
4条线路采用！轨道交通热捧SiC
国产SiC获得订单：4700万元、50万片、50吨……
