“行家说三代半”近日获悉，天岳先进的上海临港SiC项目正在扩产，产能将增加220%！

5月11日，临港新片区管理委员会对外公示了《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见。

根据公告，天岳半导体将通过优化生产工艺，调整生产设备、原辅材料、公辅环保 设施等方式，提高产品质量及产量。调整后， 6 英寸碳化硅晶片生产规模扩大至产96 万片/年。

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该项目始于2021年，天岳先进当时开启IPO进程，并且拟募资20亿元、总投资25亿元，在上海临港建碳化硅半导体材料项目，扩产产能。2022年3月，该项目已成功封顶，前段时间已经开始交付（.点这里.）。

据此前规划，临港项目全部达产后的碳化硅衬底产能约为30万片/年；而此次产能调整后，产能将扩充2.2倍，达96万片。

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作为国内“碳化硅第一股”，我们来回顾一下天岳先进最近的大动作：

● 6月29日，天岳先进宣布采用液相法，制备出了全球首个8英寸SiC晶体。

● 5月3日，上海临港SiC工厂正式交付；同日，与英飞凌签订了一项新的衬底和晶棒供应协议，将为英飞凌提供6英寸/8英寸SiC材料。

● 4月27日，天岳先进披露了2022年年报，年报显示，2022年他们就与博世集团签署长期协议。

● 2022年7月，天岳先进宣布获得全球第二大SiC订单，订单金额约人民币13.93亿元。

根据合同，2023年至2025年，天岳先进及其全资子公司上海天岳半导体将向“客户E”销售6英寸导电型碳化硅衬底产品。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。

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