向8寸SiC进击！国内再增3个玩家
端午期间，科友半导体和天成半导体均实现了8寸SiC突破（.点这里.）；近日，国内又有3家企业成功追赶上8英寸工艺节点：
● 晶盛机电：成功研发8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可兼容6、8寸碳化硅外延生产。
● 中电化合物：即将向客户交付8英寸碳化硅外延片，产能将翻番增长。
● 合盛硅业：8英寸碳化硅衬底研发顺利，各项指标优异。
晶盛机电：
研发8寸外延设备
6月27日，晶盛机电宣布，他们已成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备，在第三代半导体设备领域又一次实现重要技术突破。
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据介绍，晶盛机电是在子公司8英寸衬底基础上，实现8英寸外延设备的自主研发与调试。
结果显示，8寸外延片的厚度均匀性在1.5%以内，掺杂均匀性4%以内，已达到行业领先水平。
根据“行家说三代半”此前报道，2022年8月，晶盛机电宣布首颗8英寸N型SiC晶体出炉，晶坯厚度为25mm，直径214mm。
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中电化合物：
8寸SiC即将交付
近日，中电化合物董事潘尧波在南沙某论坛上表示，今年8月份，他们第一批8英寸碳化硅外延片将会向客户交货。
前段时间（6月19日），中电化合物与韩国Power Master公司签署了关于SiC的战略合作协议。根据协议，前者将向后者供应包括8英寸SiC材料在内的半导体产品。
潘尧波曾在5月份举办的行家说碳化硅活动上表示，中电化合物正在加速扩产，“2023年产能将比原定计划超出大概50%，之后每年也差不多翻倍增长”。
值得一提的是，中电化合物已参编《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，届时白皮书将公布更多该企业的产业动态、技术进展。
合盛硅业：
8寸SiC研发顺利
5月31日，据合盛硅业官微消息，旗下SiC生产线已具备量产能力；更重要的是，他们的8英寸SiC衬底研发顺利，产品各项指标均处于业内领先水平。
据悉，合盛硅业通过控股子公司合盛新材布局第三代半导体产业的研发与制造，其中碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目已累计投资4.62亿元。
目前，旗下2万片SiC衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收，并具备量产能力，6英寸晶体良率达到90%，外延片良率达到95%；同时8英寸衬底研发顺利，产品各项指标均处于业内领先水平，且拥有自主知识产权，掌握核心研发能力。
合盛第三代半导体研发&智造基地
值得一提的是，合盛硅业已参编《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，届时白皮书将公布更多该企业的产业动态、技术进展。
白皮书参编申请
行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。
企业参编请咨询：
陈女士 Trista
微信号：13570314186
《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 SiC产业关键技术进展
2.1 SiC特性及技术优势
2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 SiC外延技术分析
2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析
2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析
2.6 SiC模块技术进展及趋势分析
2.7 SiC关键设备和材料技术分析
2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析
第三章 全球SiC半导体产业竞争格局
3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段
3.2 各国/区域SiC代表厂商
3.3 SiC衬底竞争格局
3.4 SiC外延竞争格局
3.5 SiC器件/模块竞争格局
3.6 SiC关键设备/材料竞争格局
《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 GaN产业关键技术进展
2.1 GaN特性及技术优势
2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 GaN外延技术分析
2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析
2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析
2.6 GaN关键设备和材料技术分析
第四章 全球GaN半导体产业竞争格局
4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段
4.2 各国/区域GaN代表厂商
4.3 GaN衬底竞争格局
4.4 GaN外延竞争格局
4.5 GaN器件/模块竞争格局
4.6 GaN关键设备/材料竞争格局
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