募资超200亿！这2家SiC企业全力扩产
昨天，接连2家SiC上市公司宣布募资，扩建SiC项目：
● 长飞光纤：子公司长飞先进拟60亿元投建第三代半导体功率器件项目；
● Wolfspeed：融资144亿元扩建2个SiC工厂，以供应车规SiC芯片。
长飞先进募资60亿
建第三代半导体项目
6月26日，长飞光纤发布对外投资公告，子公司长飞先进拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。
根据公告，该项目地点位于湖北省武汉市东湖新技术开发区，总投资额约60亿元人民币，其中包括约36亿元的股权融资及约24 亿元的银行贷款。
其中，项目建设内容包括第三代半导体外延、晶圆制造、封测等产线，建设完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力。
该项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。
此外，该项目还将建设第三代半导体科技创新中心，用于跟进第三代半导体国际前沿技术并开发第三代半导体器件先进工艺。
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值得一提的是，长飞光纤、长飞先进与其他投资方在同日还签署了A轮增资协议及A轮股东协议，长飞光纤拟出资2.81亿元，参与认购长飞先进增发的注册资本。
公告显示，本次交易完成后，长飞光纤直接持有的长飞先进股权将下降至22.9008%，且无法任命超过半数的董事会成员，长飞先进将不再纳入上市公司合并报表范围，成为长飞光纤的合营公司。
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Wolfspeed获144亿融资
扩产SiC供货捷豹、路虎
6月26日，Wolfspeed官网宣布，他们获得了20亿美元（约144亿元人民币）融资资金，用于SiC扩产，本次融资由阿波罗全球资产管理公司（Apollo ）领投。
据悉，Wolfspeed可以立即获得12.5亿美元现金支持，另外7.5亿美元可以在之后提取。融资模式为7年期担保票据，票面利率为9.875%，三年之后可偿还。
Wolfspeed表示，本次募集资金主要用于扩建在美国已有的两个碳化硅晶圆生产设施——莫霍克工厂以及查塔姆工厂，并为捷豹、路虎等汽车厂商供应碳化硅芯片。
2022年9月，Wolfspeed 投资约13亿美元（约90亿人民币），在北卡罗来纳州新建一个号称世界上最大的碳化硅衬底工厂，即查塔姆工厂。本月初，Wolfspeed宣布查塔姆工厂即将开建。
该工厂临近Wolfspeed 已建成的达勒姆工厂，而新工厂的建成也将使他们的碳化硅产能增加10倍以上，主要生产8寸碳化硅衬底，供应Wolfspeed的纽约莫霍克谷工厂。
注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
白皮书参编申请
行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。
企业参编请咨询：
陈女士 Trista
微信号：13570314186
《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 SiC产业关键技术进展
2.1 SiC特性及技术优势
2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 SiC外延技术分析
2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析
2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析
2.6 SiC模块技术进展及趋势分析
2.7 SiC关键设备和材料技术分析
2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析
第三章 全球SiC半导体产业竞争格局
3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段
3.2 各国/区域SiC代表厂商
3.3 SiC衬底竞争格局
3.4 SiC外延竞争格局
3.5 SiC器件/模块竞争格局
3.6 SiC关键设备/材料竞争格局
《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 GaN产业关键技术进展
2.1 GaN特性及技术优势
2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 GaN外延技术分析
2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析
2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析
2.6 GaN关键设备和材料技术分析
第四章 全球GaN半导体产业竞争格局
4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段
4.2 各国/区域GaN代表厂商
4.3 GaN衬底竞争格局
4.4 GaN外延竞争格局
4.5 GaN器件/模块竞争格局
4.6 GaN关键设备/材料竞争格局
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