228亿！三安+意法联手建SiC厂

6月7日，意法半导体和三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。

据介绍，新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。

同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

该合资厂将采用ST（意法半导体）的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。

该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括来自意法半导体和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。

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三安光电首席执行官林科闯表示：“该合资厂的成立将有力推动SiC器件在中国市场的广泛采用。作为一家国际知名的高品质SiC晶圆代工服务公司，三安还将新建一个SiC衬底工厂，专门为新成立的合资厂提供SiC衬底。这是三安光电朝着成为SiC专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张，我们有信心三安将继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位”。

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“中国的汽车和工业领域正在朝着电气化全速前进，在这个市场上，ST已经成功拿下了许多客户项目。对ST来说，与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂，这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合，ST将有能力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。新合资厂将助力ST实现到2030年取得50亿美元以上SiC营收这一目标。这一举措也与ST在2025-2027年实现200亿美元以上的营收目标以及我们之前向资本市场传达的相关财务模式相契合。”

该项目的完成仍需监管部门批准。

注：本文来源企业，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

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