合计投资超5亿！再添2个SiC/GaN项目
近日，国内外第三代半导体领域新增了2个项目，合计投资金额超5亿元。
投资6000万元
华研伟福建SiC/GaN项目
5月19日，据”横琴在线“官微消息，第三代半导体研发企业华研伟福科技（珠海横琴）有限公司已正式入驻横琴粤澳集成电路设计产业园。本次该企业落户合作区将投资6000万元，聚焦碳化硅/氮化镓领域。
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华研伟福（珠海横琴）成立于2022年11月，为爱矽半导体的全资子公司。该公司致力于第三代化合物半导体碳化硅、氮化镓功率器件和智能功能模块的研发、生产及销售服务，立足车规、工规及消费性产品，自主掌握相关设计工艺等多项核心技术。
华研伟福65W AC-DC氮化镓快充样机
据华研伟福副总经理黄泰豪介绍，本次该企业落户合作区将投资6000万元，预计2023年企业营收可达到8000万元人民币，未来5年内（2023年-2027年）引入来自全球顶级企业的高端人才，在横琴落户人数将超过160人，累积营业收入将超过20亿元人民币。
英飞凌联合45家企业/组织
投约4.6亿建GaN项目
5月22日，据外媒报道，英飞凌宣布联合imec、Nexperia、Ballard Power Systems、EPFL、爱立信和电源制造商Delta等45个合作伙伴，共同建设一个总投资为6000万欧元（约4.56亿元人民币）的欧洲项目（ALL2GaN 项目），开发从芯片到模块的集成 GaN 电源设计，以便在欧洲供货。
ALL2GaN项目旨在利用人工智能加强欧洲氮化镓（GaN）电力技术的可持续工业和安全供应链。
该项目建设周期为3年，将重点研究以各种方式整合氮化镓芯片。例如将在英飞凌维拉赫基地开发的集成工具箱，使用单独的GaN芯片元件、高性能GaN模块、芯片设计和新颖的片上系统方法，该举措可以让欧洲GaN芯片更快地集成到电信、数据中心和服务器群等应用中。
英飞凌表示，GaN技术正在为推动去碳化的应用铺平道路，通过ALL2GaN研究项目，可以更快开发出由氮化镓制成的节能芯片，并通过集成工具箱轻松嵌入许多应用中。
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