这家SiC企业赢得3600家客户，它有哪些“金刚钻”？
会议预告
汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会
2023年5月25日 丨 上海世博洲际酒店
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英飞凌2023财年第二季度财报提到，预计全年营收将达到162（±3）亿欧元。2027年碳化硅产能预计将增加10倍，销售额将增长至约30亿欧元。
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其实早在1992年，英飞凌便开始启动SiC技术研发，过去30年，英飞凌做对了什么？他们是凭借哪些优势抢下3600多家客户？
5月-8月，英飞凌将启动“2023碳化硅直播季”，深入分析SiC器件选型的技术要点，帮助光伏和储能、充电设施以及各类电源应用工程师，更从容地使用SiC器件，用更好的技术搭乘新能源转型“风口”。
同时，他们将从SiC器件可靠性、封装技术创新、SiC驱动等众多角度，解析英飞凌的CoolSiC™ MOSFET究竟“Cool”在哪里。
英飞凌碳化硅直播季干货满满，现在报名参与线上直播还机会赢取众多壕礼，赶紧扫码报名吧！
先“剧透”一下英飞凌的碳化硅直播季的干货内容：
第1期：敢揽瓷器活，必有金刚钻
——深析一款高质可靠SiC的器件结构和封装创新
SiC器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等优势已众所周知，然而工程师在采用时通常会权衡2个关键问题：性能和可靠性。
降低导通内阻是考量碳化硅器件的重要指标。SiC MOSFET从平面栅转向沟槽栅，电流密度有望增加25%。但由于SiC-SiO2界面态密度比较高，碳化硅器件栅极氧化层将面临与Si基器件完全不同的可靠性问题。与此同时，碳化硅器件还面临着高温可靠性的挑战。
由于SiC器件导通内阻较小/临界场强较高，因此芯片尺寸可以做得很小，例如，1200V、150A的IGBT芯片面积约为142mm2，而类似指标的SiC MOSFET只有30mm2，所以SiC器件封装的散热要求比IGBT要高出3-7 倍。这对SiC器件封装设计和工艺实现，以及高温电路组件焊接和组装工艺等各个方面提出非常高的要求。
5月23日，英飞凌碳化硅直播季第1期将正式启动，直播话题为《敢揽瓷器活，必有金刚钻——深析一款高质可靠SiC的器件结构和封装创新》，他们将深入剖析SiC器件的性能及可靠性的平衡问题，提出他们的解决方案。
碳化硅直播季主持人：
孙辉波，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，自媒体UP主（昵称：波老师）
第1期直播亮点
1、如何使用创新的非对称沟槽栅，既解决栅极氧化层的可靠性问题，又提高了SiC MOSFET的性能? 增强型沟槽栅又“强”在哪里？
2、英飞凌的创新碳化硅冷切割技术，如何更好地成就SiC生产效率的提升和成本的降低？
3、英飞凌使用增强型沟槽栅SiC MOSFET 芯片，配合.XT高性能互联封装技术，又会对散热、功率密度和可靠性带来何种优化？
嘉宾1：
郝欣，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，电力电子与电力传动博士。2015年进入英飞凌从事功率半导体方案拓展工作，目前任职工业功率控制事业部首席工程师，负责光伏，储能技术以及碳化硅业务技术支持工作。
嘉宾2：
赵佳，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部 ，负责工业传动、充电桩及电源等领域的应用支持，对IGBT及SiC等功率器件的器件结构、性能特点、驱动设计等都有深刻的理解与丰富的经验。
第2期：好马要有好鞍配
——详解SiC驱动和并联的关键技术
由于SiC MOSFET驱动电路直接控制SiC功率器件的开关，其性能将直接影响器件的工作性能和效率。然而在实际应用中，SiC MOSFET高速驱动还存在许多问题，尤其是开关速度与EMI是相互制约的。另外，SiC MOSFET高速并联应用中，SiC功率器件的可靠性也是一场大挑战。
6月20日，英飞凌将启动碳化硅直播季第2期，直播话题为《好马要有好鞍配——详解SiC驱动和并联的关键技术》，针对SiC MOSFET的驱动难题，他们提出创新的解决方案。
第2期直播亮点
1、如何更好地设计SiC MOSFET驱动及保护电路？
2、如何在高性能功率转换应用场合实现效率、功率密度和稳健性的最佳组合？
嘉宾1：
郑姿清，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，专注于IGBT器件开关性能的研究和测试超过十年，熟悉IGBT，SiC特点，擅长功率开关器件的驱动设计。
嘉宾2：
赵佳，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，负责工业传动、充电桩及电源等领域的应用支持，对IGBT及SiC等功率器件的器件结构、性能特点、驱动设计等都有深刻的理解与丰富的经验。
第3期：好钢用在刀刃上
——探讨SiC热门应用和器件选型要点
由于 SiC材料在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率等参数方面要远远优于传统硅基半导体，所以其在新能源汽车、充电桩、高速电机、可再生能源等领域的应用在逐步的扩大化。
但是，尽管SiC器件的优异性能可以大幅提高电源系统性能，但如何恰当使用也具备技术挑战，这要求工程师在器件选型阶段，要清楚相关应用的具体要求，以及与SiC器件重点参数的联系。
8月9日，英飞凌将启动碳化硅直播季第3期，直播话题为《好钢用在刀刃上——探讨SiC热门应用和器件选型要点》，帮助工程师解决器件选项难题。
第3期直播亮点
1、如何为不同电源应用选择最佳的SiC器件？
2、未来SiC器件还会在哪些领域大有可为？
嘉宾1：
沈嵩，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，2005年毕业于西安交通大学，取得电力电子学士和硕士学位。在艾默生网络能源有限公司等业界知名公司长期从事电力电子相关工作，具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识。2012年加入英飞凌科技有限公司，负责英飞凌零碳工业功率事业部的功率半导体产品在新能源、电机控制、工业电源等应用与技术支持。
嘉宾2：
周明，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，分别于2005年和2007年获得浙江大学电气工程学士学位和硕士学位。2007年至2017年在伊顿担任UPS研发工程师，至今在英飞凌中国担任现场应用工程师。研究方向包括电动汽车直流充电模块解决方案、逆变器解决方案和碳化硅器件应用。
好的，先剧透到这里，详细直播内容，请锁定英飞凌的碳化硅直播季，别忘了哦，参加直播活动还有精彩的抽奖环节等着你！快来报名吧，让我们一起畅游碳化硅知识的海洋。
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