8寸SiC、近11亿！又有2家企业拍马而来
最近，国内碳化硅项目开工、竣工等消息接连不断（.点这里.）。与此同时，国外2家企业也在碳化硅方面有所布局：
● 三星电子：正在投资8英寸工艺设施，用于SiC和GaN的开发，投资金额累计高达10.6亿元。
● Interaction公司：将于今年4月成立一个长崎开发中心，致力于低成本SiC切割。
三星投资8寸SiC
金额最高达10.6亿
3月30日，韩媒报道称，三星电子正在投资一个8英寸工艺设施用于SiC-GaN的开发，并已经完成了1000亿~2000亿韩元（约5.3亿元~10.6亿元人民币）的投资。而且，从投资规模看，除了简单的开发外，还可能进行原型的大规模生产。
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根据报道，今年早些时候，三星电子还成立了一个 "功率半导体部门"，该部门由三星DS部门、LED业务团队和三星高级技术研究所组成，具体目标是开发8英寸SiC-GaN工艺。
相关人士透露称，"三星电子已经决定使用部分用于LED工艺的8英寸设备来开发SiC-GaN，以提高开发效率，三星研究所也一直在学术研讨会上积极披露GaN相关技术。"
据了解，GaN方面，三星电子已经参与了韩企IVWorks的多轮融资，而且 IVWorks 已于2021年11月完成了1740万美元（约1.1亿人民币）C轮融资，资金将用于扩大8英寸氮化镓外延片产能等。
日本成立新中心
致力于低成本SiC切割
3月29日，据日媒报道，Interaction公司已经与日本长崎市就开发下一代半导体技术达成协议，计划新成立一个长崎开发中心，目标是开发和商业化SiC切割设备。
报道称，该中心将于今年4月在长崎出岛孵化器（D-FLAG）开业，预计将雇用10名员工。同时，该中心也将继续与长崎大学的合作，争取在明年年底开发产品。
据Interaction公司总裁Nobuo Kiji介绍：“为了大幅降低碳化硅的成本，我们将开发利用温度分布进行高效加工的设备。具体而言，是通过在材料的薄膜上产生较大的局部温差来切割材料。”
据了解，Interaction公司自2009年以来一直在与长崎大学联合研究使用新技术进行设备开发，他们也是从事智能手机摄像头传感器检测设备的公司，在制造和销售半导体图像传感器光源设备方面拥有世界顶级份额。
注：本文来源企业官网及相关媒体，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
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