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SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
行家说三代半 · 2022-11-22
SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
据统计,今年前三季度全球SiC车型的销量已经超过了120万台,占据纯电汽车五分之一天下,而业内人士预估,未来SiC衬底的缺口或接近500万片。
无疑,车规级SiC风口已经到来,然而晶体质量问题仍旧困扰着国内许多SiC衬底企业。河北岚鲸光电科技有限公司已经开发了创新的SiC长晶炉,能够生产6英寸零微管SiC单晶,已有众多企业在采用。
最近,“行家说三代半”采访了岚鲸光电,深入了解他们实现技术突破的关键,以及他们SiC长晶炉最新进展。
SiC衬底缺口近500万片?
岚鲸七年磨一剑,助力开发高质量单晶
今年1-9月,全球新能源汽车累计销量超过681万辆,而搭载SiC MOSFET电驱的车型销量也非常亮眼。
仅特斯拉Model Y、Model 3,比亚迪汉EV,起亚EV6、现代Ioniq5以及蔚来ET7六款车的销量就超过了111万台,约占全球新能源汽车总销量16.3%。如果再加上其他SiC车型,在纯电车型中的渗透率达到了20%左右。
SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
1-9月部分SiC车型销量 来源:《2022碳化硅(SiC)产业调研白皮书》
但据北京三安光电总经理陈昭亮此前分析,乐观情形下,2025年全球6寸碳化硅晶圆需求甚至将达到728万片,产能缺口达到486万片。
目前,国内已有众多SiC衬底企业已经在大幅扩产,然而车规级SiC MOSFET对衬底缺陷密度要求非常高,企业能否抓住风口,晶体质量仍是关键门槛。
SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
道康宁公司SiC衬底分级
在此大背景下,岚鲸光电克服了众多的困难,开发出了能够稳定生产6英寸零微管SiC单晶,帮助国内企业解决燃眉之急。
目前,岚鲸光电的感应式SiC单晶炉已完成规模性测试,并可连续生产高品质6英寸SiC单晶。截止目前,他们已经为国内厂商提供了20余台长晶炉。
据介绍,岚鲸光电成立于2015年5月,研发基地位于石家庄信息产业基地,经过多年的努力和改进,目前碳化硅单晶炉设备已经满足生长高纯半绝缘和导电型SiC晶体的生长要求。
据岚鲸光电负责人介绍,他们之所以能够生长出6英寸低缺陷SiC单晶,关键在于设备、材料和工艺的完美结合。
SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
河北岚鲸6英寸导电型SiC单晶及其厚度
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现阶段,国外领先的SiC长晶设备制造商是不对外销售长晶炉,而很多长晶设备企业却不具备长晶核心工艺研发能力。为此,岚鲸光电做了非常多的工作,一步步去验证和完善SiC长晶炉。
首先,他们斥资自主搭建了20余台长晶炉,建立了自己的长晶车间,通过7年时间深耕于高品质SiC长晶设备的研发及工艺。同时也研发了数字DSP IGBT高稳定性中频电源,籽晶键合设备,相衬显微无损sic晶片检测系统等。
其次,岚鲸光电透露,他们还组建了由国内专家、日本专家、台湾专家组成的多学科的技术团队,从SiC物理气相生长的原理着手,逐步分析原料物性参数和生长的关系、原料组分偏离机理、微管和位错形成机理,通过选择籽晶、籽晶粘合、热场模拟优化、温度和压力控制稳定等手段,结合生长完成的数据分析,以逐个减少晶体缺陷。
岚鲸光电表示,他们前前后后投入了数千万元进行设备研发和长晶实验,而他们多年累计的经验可以使客户少走弯路,帮助客户节省研发时间、提高生产效率。
SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
河北岚鲸光电科技有限公司长晶车间
而一直以来,岚鲸光电始终都在默默无闻地做着自己的工作,不断完善长晶炉技术,感应式SiC长晶设备也从早期的3英寸迭代到4英寸、6英寸。去年以来,岚鲸光电开始进入“收获的季节”,7年的工作开始开花结果:
2021年6月,岚鲸光电首块低缺陷6英寸SiC导电型单晶出炉,重量846g、厚度11mm的厚度。
目前,岚鲸光电的长晶设备已经能够生产厚度25mm以上的6英寸N型SiC单晶,且正在进行各方面测试。
据介绍,岚鲸光电目前已为国内几家厂商提供了20余台长晶炉。
电阻法长晶炉蓄势待发
助力SiC企业赶上8寸潮流
从2022年来看,有2家SiC衬底企业接连获得较大订单,而他们的SiC长晶技术值得关注。
II-VI:与英飞凌签署了一项为期多年的合同;与东莞天域签订了超过1亿美元的合同。
东尼电子:获得1亿元SiC衬底订单。
根据清华大学航天航空学院的研究,与其他企业不同的是,II-VI公司采用的是电阻式PVT系统生长,而且成功展示了8英寸SiC单晶。
东尼电子的“突飞猛进”或许与改用电阻法SiC长晶技术有关。2022年8月,东尼电子董事长沈新芳在“募投项目事项投资者说明会”上透露,他们的长晶炉加热方式已经“由感应法变更为电阻法”,而之前的感应炉主要用于碳化硅粉料等准备工作。
SiC车型渗透率超20%!新技术助SiC企业抓住风口
为什么电阻法长晶能加速SiC衬底的研发和量产?岚鲸光电告诉“行家说三代半”,电阻炉加热和感应加热热传导方式有很大不同,前者更益于大尺寸、高品质碳化硅单晶的生长。
据了解,8英寸等大尺寸SiC晶体生长的热场对细节要求较高,8 英寸碳化硅晶体生长要求较小的晶体横向温度梯度、较大的纵向温度梯度。感应式加热已经很难满足需求,而电阻加热方式有利于系统热场的灵活设计。
而在电阻法长晶技术方面,岚鲸光电早有储备,据负责人透露,岚鲸光电自主研发的新一代6/8英寸电阻式SiC长晶炉已经进入长晶验证。
用岚鲸光电自己的话来说,“7年来,我们不仅经历了SiC的兴起,也经历了SiC发展的顶峰,国内SiC衬底领域从刚开始的几家,到如今的百家齐放。”未来,岚鲸光电发展方向是研发主导,将持续致力于稳定SiC晶体质量和降低成本的方向努力,也将持续优化感应式、电阻式SiC晶体生长设备。同时河北岚鲸将持开放的态度,希望与大家互相学习、共同合作,并期待能够为国产SiC衬底领域带来一些新的变化。
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