又有GaN单晶工厂！国产进程大盘点
这段时间，国产氮化镓单晶项目消息频出。前几天，纳维总投资3.2亿元的项目封顶（.点这里.）；昨天，又一家企业公布了氮化镓单晶项目进展。
月产数千片
镓特将开设新工厂
8月17日，镓特宣布将进行总部搬迁工程，计划于2022年9月将公司总部从上海搬迁至安徽铜陵，届时面积达1.7万㎡ 的铜陵新工厂将成为 GaN 晶圆生产和研发的场所。
据悉，铜陵工厂将安装氮化镓单晶生产全过程的相关设备，包括用于 GaN 生长的 HVPE 和用于 GaN 晶圆的抛光设备，完全建成后的月产能将超过数千片晶圆。
镓特成立于2015 年 4 月， 专注生产大尺寸高质量 GaN 晶圆。2020年3月，镓特宣布开发出4英寸掺碳半绝缘GaN晶圆片。据介绍，该公司已初步具备自支撑氮化镓晶圆片产业化生产条件，4英寸自支撑氮化镓晶圆片厚度达800μm。
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国内企业氮化镓单晶进展
近几年内，国内的吴越半导体、苏州纳维、广东光大、上海瀚镓以及安徽镓数在氮化镓单晶方面均取得了良好成果。
● 2021年1月，纳维科技总部大楼建设项目在苏州工业园区正式奠基；今年8月10日，该总部大楼已顺利完成封顶（.点这里.），完全投产后预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。
● 2022年6月7日，安徽镓数公示了其氮化镓单晶衬底项目的环评表。据悉，该项目将分3期建设，一期建设10条氮化镓单晶衬底生产线，二期建设20条氮化镓单晶衬底生产线，三期建设30条氮化镓单晶衬底生产线，三期完全达产后将形成年产18万片2英寸氮化镓单晶衬底的生产能力。
● 2021年12月，吴越半导体举行了GaN晶体出片仪式，展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，该晶体平整度达到1-2um，粗糙度达到0.12nm，达到了世界最高水准。
2020年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，该项目总投资37亿元，主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。
● 2021年9月，东莞增补了61个2021年第三批市重大项目，其中包括广东光大的氮化镓项目，总投资额高达44亿元。今年4月，该项目举行了开工仪式，项目主要建设内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线等；建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件。
此外，广东光大子公司也有相关进展——2018年2月，东莞中稼半导体宣布，在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底，并计划于同年年底实现常规量产。
● 2021年8月，根据《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示，上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。
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