3.2亿GaN项目封顶！内有惊喜
8月13日，苏州纳维科技官微发布消息称，他们的氮化镓单晶衬底及应用技术的研发和生产总部大楼已于8月10日顺利完成封顶。根据此前公司发布的环评公示，该氮化镓项目总投资为3.2亿元，建设地点位于苏州纳米城内。
早在去年1月24日，纳维科技总部大楼建设项目就在苏州工业园区正式奠基，项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片以上。
加入氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666
值此项目封顶之际，纳维科技也特别推出限时福利活动，提供超低位错、超薄的氮化镓单晶衬底产品，优惠低至5折，最高可优惠6万元，活动时间：2022年8月15日-8月18日，欲购从速。
公开资料显示，成立于2007年的纳维科技专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长，致力于氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化。
目前，纳维科技已经实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，是国内和国际少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位——其位错密度已经降低到104cm²。
同时，该公司GaN单晶衬底产品已经提供给300余家客户使用，氮化镓产品性能综合指标国际领先，未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。
其他人都在看：
国产SiC又出8寸！导电型！
4500万！又一企业建GaN项目
又一SiC项目落地！瞄准5G市场
