SiC缺口达486万片，除了扩产，还要做什么？
2018年特斯拉Model 3的问世，正式扣响了碳化硅上车的“发令枪”。调研机构预测，2027年汽车领域的碳化硅营收规模有望达到49.86亿美元（约333亿人民币），相比2021年增长7.27倍。
不过，据北京三安光电有限公司总经理陈昭亮此前演讲分析，全球碳化硅衬底与晶圆将出现供不应求的局面——2025年全球6寸碳化硅晶圆需求保守估计为365万片，产能缺口将达到123万片；在乐观情形下，全球6寸碳化硅晶圆需求将达到的728万片，产能缺口达到486万片。
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据行业专家分析，目前高质量6英寸导电型SiC衬底的应用主要集中于ToP3企业手中，而且产能几乎已被订完。国内SiC衬底方面，多家企业已经在大幅扩产，不过依旧需要新的技术，以解决大尺寸、良率、生产效率等方面难题，尤其是车规级SiC衬底仍需减少晶体缺陷密度。
恒普科技于今年4月和6月先后推出了SiC感应晶体⽣⻓炉和2.0版SiC电阻晶体生长炉，以【轴径分离】为核心技术，与【新工艺】组合，突破性地解决晶体“长大、长快、长厚”的行业核心难点。
7月7日，恒普科技半导体销售经理邹向伟将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，届时他将详细解读《PVT SiC晶体长大、长快、长厚的技术方向》。
与此同时，欣锐科技、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、纳微、赛米控、工信部电子5所和百识电子等企业将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，他们将共同探讨碳化硅和氮化镓在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。
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