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45亿!江苏或增SiC MOS项目
行家说三代半 · 2022-06-22
45亿!江苏或增SiC MOS项目
《南通日报》报道称,6月中旬,南通市相关领导到深圳开展招商活动,达成意向总投资近百亿元,其中包括一个总投资45亿的碳化硅项目。
45亿!江苏或增SiC MOS项目
据报道,南通市最近与深圳一家碳化硅功率器件企业进行了视频洽谈。该企业计划建设碳化硅功率器件IDM产线。
据了解,这个SiC MOSFET晶圆产线项目计划总投资45亿元,将建设6-8英寸兼容的SiC MOSFET量产制造产线,有望在如东高新区落户。
报道称,这家深圳公司是“国内首个从事SiC MOSFET芯片设计、模块生产、系统开发的国家高新技术企业”,但并未提及名字。
南通市将打造第三代半导体SiC产业链上下游的产业链生态圈。据“行家说三代半”了解,目前南通已经落户了2个碳化硅项目。
45亿!江苏或增SiC MOS项目
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● 中科钢研碳化硅衬底项目
2019年2月,中科钢举行了碳化硅项目开工仪式,根据当时的公告,该项目总投资15.5亿元。
45亿!江苏或增SiC MOS项目
2021年南通市的环评报告批准公示文件提到,江苏国宏中创新材料有限公司投资建设碳化硅晶体及衬底片项目,可实现年产4寸N型碳化硅衬底片约为15120片,6寸N型碳化硅衬底约为40320片,4寸高纯度半绝缘型碳化硅衬底片约为25200片的产能。
● 卓远半导体碳化硅装备项目
据了解,卓远半导体2015年落户如皋,从事碳化硅、大尺寸硅晶体的全自动智能设备制造及晶体材料的研发、生产和深加工。
据介绍,卓远已经推出智能PVT碳化硅和MPCVD金刚石单晶制造装备,直径4英寸和6英寸导电型碳化硅单晶衬底片等技术达到国际先进水平。
2021年南通市“揭榜挂帅”攻坚计划项目张榜公告提到一个碳化硅项目——《国产化碳化硅1700V/600A IGBT模块核心技术》。发榜单位是南通市科学技术局、卓远半导体,悬赏金额800万元。该项目主要应用于智能电网的发电端、输电端、变电端。
7月7日,意法半导体、Wolfspeed、英飞凌、三菱电机将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”,用户可以近距离、深入地了解他们的最新碳化硅技术;同时,行家说也将在会上发布《2022碳化硅(SiC)产业调研白皮书》与《2022氮化镓功率与射频产业调研白皮书》的阶段性成果。
届时,英飞凌将发表《碳化硅CoolSiC™技术发展及展望》主题演讲;Wolfspeed将带来以《Wolfspeed SiC MOSFET 促进 OBC 和 ESS 的创新和先进设计》为题的演讲;三菱电机的演讲主题是《SiC功率芯片和功率模块技术最新进展》。
意法半导体的演讲议题即将揭晓。此外,欣锐科技、芯干线、百识电子和恒普科技等企业也将出席本次会议,他们将共同探讨碳化硅在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。
报名参会可扫描海报二维码。
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