厚度32mm！国产SiC兼程并进
昨天（6月17日），科友半导体宣布，他们的实验线传出了好消息——6英寸SiC晶体在厚度上实现突破，达到32.146mm，“达到业内领先水平”。
今年以来，科友的碳化硅晶体厚度进展喜人——2月，突破20mm；4月，突破28mm；昨天成功突破32mm。
据悉，科友半导体从2018年成立伊始就致力于半导体技术和产业的自主创新，目前，他们自主研发的SiC长晶炉（感应）已有99%的部件实现国产替代。
2021年11月，哈尔滨新区报报道曾指出，科友半导体已完成6英寸第三代半导体衬底制备，正在进行8英寸衬底研制。
在产业化方面，2021年10月，科友半导体产学研聚集区项目一期在建的生产车间大楼封顶并进行二次结构砌筑。据悉，一期生产车间大楼建成后将铺设100台套设备。项目全部达产后，最终形成年产碳化硅衬底近10万片；PVT-SiC晶体生长成套设备年产销200台套。
据悉，预计科友的生产车间、办公楼及展示厅将于今年7月份全部交工验收，8月正式投产。
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SiC如何长大、长厚、长快
7月7日，深圳开讲
昨天（6月17日），恒普科技也宣布推出了新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉（.点这里.），能够让SiC单晶“长大、长快、长厚”。
他们有哪些核心技术和过人之处？7月7日，恒普科技将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，将进行深入介绍。
此外，欣锐科技、意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、百识电子等企业均将发表演讲，共同探讨碳化硅、氮化镓在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。
本次活动的早鸟票将于6月20日截止，报名请扫下方二维码！
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