韩国A-Pro将量产8吋氮化镓

行家说消息    5月16日，A-Pro Semicon宣布已开始开发200V以下低压GaN半导体项目。A-Pro 的低压 GaN 半导体的目标是移动、激光雷达、物联网 (IoT) 设备、小家电和无线充电。

A-Pro Semicon是A-Pro集团半导体部门于 2020 年成立的分拆公司，目标是开发和生产基于 GaN 的功率和 5G 射频半导体器件。

A-Pro Semicon 预计低功率 GaN 半导体将成为其新增长的催化剂。 此外，A-Pro Semicon今年成功稳定了8英寸650V高压GaN外延片的良率。

照片图像

 

A-Pro Semicon凭借其对GaN半导体技术的快速积累，能够开发出新产品。2021年他们引进了韩国首台8英寸外延片量产设备MOCVD。其MOCVD从去年开始运营，并迅速在良率上建立了稳定的轨道。

氮化镓外延片厚度和掺杂均匀度是提高GaN半导体性能的重要因素。该公司表示，他们实现了99%的均匀度，达到了全球标准。它还实现了接近 1000V 的电压，这对于开发高压功率半导体至关重要。

A-Pro Semicon 表示：“接下来，我们在研发上投入的时间不会像先前那样长。” A-Pro Semicon正在通过高压GaN半导体的持续量产和低压GaN半导体等新产品的开发，实现盈利渠道的多元化。