行家说消息  河北工人报最近采访了41岁的牛晓龙，现为河北同光半导体股份有限公司研发技术总监、高级工程师。

牛晓龙告诉记者，自上海交通大学研究生毕业后，他长期致力于高纯半导体材料的研制，先后从事硅烷法高纯多晶硅的研制、光伏用铸造多晶硅制备，目前主要从事碳化硅(SiC)衬底材料的研发和生产。

为了研制高纯碳化硅原料，牛晓龙和团队翻阅大量文献，讨论并试验了上百个方案，他们的试验产品经国际权威的第三方检测机构拿到美国测试，结论是原料中关键杂质氮元素(N)的含量低于当时最先进检测设备的检测下限，纯度比之前提高了100倍以上。这个结果，就连见多识广的检测机构专家也很是惊讶，因为当时世界范围内能掌握高效碳化硅提纯技术的企业只有国外的两家头部企业，而且都是经过十几年技术积累才得以实现的。

    高纯原料的问题解决后，碳化硅衬底生长的良品率和稳定性成了重中之重。“那些日子，我与团队成员一起从大量的试验数据中分析提炼关键的影响因素，白天反复思考、论证，就连晚上做梦，也在考虑如何改进工艺方案。”牛晓龙说。

经过一段时间的调整，衬底生长的良品率提高了一倍以上，稳定性和一致性也明显改善。经过行业下游工序的外延、器件、封测、应用等环节一系列严苛的验证，采用同光股份的衬底所制备的器件，运行稳定，性能优异，与进口同类型产品比较并无差异，部分参数甚至更优，完全替代了进口产品，圆满解决了衬底这一领域的“卡脖子”问题，为国内5G建设能够顺利推进提供了坚实的基础。