100亿？美金？国内又有SiC项目签约
4月14日，中泰恒创科技有限公司与中汇环球集团有限公司，就“拓展碳化硅SiC芯片市场”项目举行签约仪式。
据悉，双方将携手优化国内碳化硅SiC产业链三大环节，包括碳化硅SiC衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。
企查查显示，中泰恒创是由中能国泰集团与富康达于2021年12月联合建立，专攻于 SiC/GaN 材料的研发与应用推广，其中中能国泰为大股东。
而中汇环球成立于2000年，是GPS等智能终端的方案提供商，为TCL、海信、联想等企业提供OEM生产制造。
根据公告，中汇环球将为这个碳化硅项目提供两方面的支持，一是将利用现有产业优势，解决SiC芯片技术和销售难题；二是资金，中汇环球将为中泰恒创提供100亿美元以上自主融合国际主权财富基金的参与和支持，支持中泰恒创开发生产IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型产品，以及建立创新创业产业园。
此前，中泰恒创已布局了多个第三代半导体项目，将划分三个重点发展区域来进行，分别设上海为国家半导体六大中心、设深圳为半导体技术研究基地、设漳州为人才与对外发展地，总投资资金将达百亿元量级。
● 2021年12月，中泰恒创股东之一富康达，与福建漳州高新区签订项目投资框架协议书，将在漳州高新区投资SiC产业园和第三代半导体模组等项目。
据悉，该项目总投资资金拟达110亿元，年销售额近160亿元，引进高端人才496位，创造就业岗位2480个。
● 中泰恒创还布局了SiC晶体材料制造项目，该项目总投资额达20亿元，年销售额达2.16亿元，引进高端技术人才50余人，创造近400个就业机会。
● 器件方面，中泰恒创表示，他们公司的核心专家团队已经发表的相关专利超过300项，每一个项目的专家团队还有相当数量的相关技术专利，专利技术覆盖功率半导体材料生长、功率器件：高压SBD、MOSFET、IGBT的设计和制造全部范围，IC设计和SiP全产业链，技术成熟完整。
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