芯导科技：将开发自有氮化镓外延片

行家说消息 近日，芯导科技披露业绩快报，2021年该公司实现营业收入4.76亿元，同比增长29.13%；归母净利润1.14亿元，同比增长54.38%。

同时，芯导对外介绍了公司氮化镓业务最新进展与竞争优势。芯导半导体表示，公司的氮化镓产品将逐步向市场推广。

由于目前氮化镓器件的成本中，外延片成本占整个流片成本的一半，未来公司将开发自有的氮化镓外延片来控制芯片成本，同时优化外延良率,形成公司核心技术。同时公司也会不断优化器件结构和工艺设计来提升产品的性能,并降低器件成本。

而在产品进展方面，芯导公司氮化镓芯片研发集中在650VGaN-on-SiHEMT功率器件和相关配套IC上，主要用于消费类电子领域。目前已研发出的产品有8A到15A电流等级，同时相关的氮化镓驱动IC已经有样品产出，氮化镓器件和GaNIC的二合一产品也已通过了1000h可靠性验证，可用于55W/65W/110W/120W等PD快充应用，现阶段已在多家客户端进行测试验证。另芯导也同时在准备低压E-modeGaNHEMT的开发工作，以满足未来低压应用的需求。