英飞凌扩产！超144亿
2月17日，英飞凌官网宣布，将投资超过20亿欧元（合计约144亿人民币）扩大SiC 和 GaN半导体的产能，今年6月动工。
根据公告，英飞凌将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区。一旦配备齐全，新厂区将通过碳化硅和氮化镓产品产生20亿欧元的额外年收入。
英飞凌西居林前端制造基地鸟瞰图
据了解，英飞凌的居林3号厂区将于今年6月开始建设，一旦建成，将创造900个高价值工作岗位。新的晶圆厂将于2024年夏季建成，第一批晶圆将于2024年下半年离开晶圆厂。
英飞凌还表示，新的厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺。
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此外，未来几年，英飞凌的奥地利Villach工厂的6英寸/8英寸硅生产线，也将进行改造，用于生产SiC和GaN，作为他们宽禁带技术的创新基地和全球能力中心。
英飞凌表示，目前他们已向3000 多家客户提供基于 SiC 的产品，他们的目标是到本世纪中期通过基于 SiC 的功率半导体实现 10 亿美元的收入。
同时也非常看好GaN 市场的巨大增长空间——据Yole最新报告，2025年GaN 市场将从2020年的 4700 万美元（约2.97亿人民币），增长到8.01 亿美元（约50.75亿人民币），复合年增长率76%。而英飞凌拥有领先的系统和应用理解、广泛的 GaN IP 产品组合和庞大的研发力量。
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