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2022年2月1日，理察森电子有限公司宣布推出SemiQ的第二代碳化硅功率开关，1200 V 80mΩ SiC MOSFET。这些 MOSFET 补充了 SemiQ 现有的 650 V、1200 V 和 1700 V SiC整流器 。

SemiQ设计了两个新的 MOSFET，GP2T080A120U (TO-247-3L) 和GP2T080A120H (TO-247-4L)，以提供传导和开关损耗的最佳平衡。与市场上的其他器件相比，这些新产品为设计人员在更广泛的应用范围内提供了更大的灵活性。样品可应要求提供。

“ SemiQ在对这种宽带隙技术的持续投资方面已经超越了一切，” Richardson的电源和微波技术集团执行副总裁 Greg Peloquin说。“他们的碳化硅 MOSFET 技术的加入允许在许多应用中扩展需求创造能力。”

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