8英寸！新增5个SiC项目动态

近期，“行家说三代半”观察发现，又有5个SiC项目正在推进：

株洲中车：8英寸SiC产线有望年底拉通，目前正积极开拓境内外客户；

中微科芯：推进8英寸SiC芯片项目，规划月产3万片8英寸SiC芯片；

歌尔光学：SiC光波导模组项目入选上海市“元宇宙”关键技术立项；

积塔半导体：推进中试线搬迁SiC技改二次配项目；

四川内江高新区：碳化硅晶圆检测线及划片线项目签约。

株洲中车：

8英寸SiC产线有望年底拉通

在近期的投资者关系活动中，株洲中车披露其株洲三期产线（8英寸SiC产线）有望在2025年底实现产线拉通，目前正积极开拓境内外客户。

据此前报道，株洲三期SiC产线于2024年11月份启动建设，2025年5月实现主体厂房封顶。另据株洲中车介绍，三期株洲产线的产品覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车/混合动力汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、船舶运 输、铁路运输、工业、智能电网等领域。

此外，株洲中车还拥有一条6英寸SiC芯片产线，当前已具备年产2.5万片6英寸SiC芯片产能。目前，株洲中车的SiC产品（SBD）已在光伏领域批量供货，SiC TO器件已在充电桩、OBC、电源检测等领域批量供货。

中微科芯：

推进8英寸碳化硅高功率芯片项目

围绕中微科芯8英寸半导体碳化硅高功率芯片等项目，普州大地集团于近日与遂宁联投产业有限责任公司展开交流。据介绍，中微科芯的8英寸半导体碳化硅高功率芯片项目正在稳步推进中。

项目建议书披露，该项目规划总用地430亩，规划建设月产3万片8英寸半导体碳化硅高功率芯片产业制造工厂一座，其中生产测试线一条，量产线一条；项目投产后年产值约43.2亿元，建设总周期为1.8年。

今年3月，四川普州大地城市产银科技发展有限公司与新加坡拓谱电子公司签署合作协议，双方将共同成立一家专注于超高压碳化硅大功率芯片项目的合资公司。该项目旨在推进碳化硅芯片的研发与生产，满足市场对高性能、高耐压功率器件的迫切需求。中微科芯就是由拓谱电子与普州产银两家公司合资成立。

歌尔光学：

SiC光波导模组项目入选

上海市“元宇宙”关键技术立项

11月18日，上海市科技企业服务中心网站公布【上海市2025年度关键技术研发计划“元宇宙”拟立项项目名单】，歌尔光学的碳化硅光波导模组关键技术研发项目位列其中。

据了解，2025年度关键技术研发计划“元宇宙”项目由上海市科学技术委员会发布，旨在加快建设具有全球影响力的科技创新中心，强化上海市元宇宙领域科技创新策源功能。项目申报指南显示，专题方向包括可穿戴智能眼镜、混合显示头显、消费级光波导模组等，其中消费级光波导模组项目的资助额度不超过300万元。

值得注意的是，歌尔光学在今年9月已首次发布了碳化硅刻蚀全彩衍射光波导产品。该产品采用全贴合技术，消除了镜片间的空气层，厚度仅0.65mm，重量为3.5g，在30°视场角范围内画面颜色均匀，且无彩虹纹现象（即光波导片中因光线传导偏差产生的彩色干扰），有效提升了佩戴舒适度与视觉体验。

官微显示，歌尔光学成立于2012年，为歌尔股份控股子公司，是全球VR&AR行业中的先行者和领导者，主要提供VR&AR光学研发和生产制造的一站式解决方案。

积塔半导体：

推进中试线搬迁SiC技改二次配项目

11月7日，中电四公司官宣中标上海积塔半导体12吋40K Phase A-FAC“猎户座”及中试线搬迁SiC技改二次配项目。据介绍，该项目涉及了积塔半导体的12英寸生产线及碳化硅技术改造。

截至目前，积塔半导体在上海临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计30万片/月（折合8吋计算），其中碳化硅1万片/月。据悉，2018年8月，积塔特色工艺生产线项目在上海开工，一期规划建设 6 英寸SiC生产线；2020年6月30日，该项目正式投产。

官网显示，积塔半导体是专注于半导体集成电路芯片特色工艺的研发和生产制造基地，能为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器、模拟电路、功率器件、传感器等核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。

四川内江高新区：

碳化硅晶圆检测线及划片线项目签约

11月18日，内江高新区举行2025年第四季度招商引资项目集中签约仪式。三大集成电路产业项目落户高新区，总投资额达19亿元，其中就包括碳化硅晶圆检测线及划片线项目。

报道显示，碳化硅晶圆检测线及划片线项目为电子科大校友企业的项目，这得益于内江高新区与电子科大的深度合作。目前，关于该项目的其它信息官方暂未披露，“行家说三代半”将继续关注。