单一企业SiC出货超1000万颗，SiC MOS新赛道驶出快车

在快充技术快速迭代的今天，碳化硅正以前所未有的速度渗透至消费电子领域。随着SiC MOSFET成本的持续优化，其高性价比优势逐渐凸显，不仅打破了以往仅在工业、汽车等高压场景应用的局限，更成功打开了消费类快充市场的大门。

目前，飞利浦、倍思、绿联、铭普等多家知名充电配件品牌已陆续导入SiC MOSFET方案，推动PD快充朝着更高效率、更小体积的方向发展。据调研，多家碳化硅企业正聚焦PD快充领域，其中部分厂商的SiC MOS出货量将突破1000万颗，展现出这一细分赛道的巨大潜力。

在这一浪潮中，英嘉通半导体依托其在SiC与GaN双技术路径上的完整布局，正成为连接技术升级与市场应用的关键参与者之一。为进一步了解SiC在PD快充领域的应用现状与趋势，“行家说三代半”与英嘉通负责人展开了深度交流。

多家PD快充厂商导入SiC

英嘉通SiC MOS批量出货

据不完全统计，目前已有超30款PD快充导入SiC功率器件，其中飞利浦、倍思、绿联、铭普等头部手机快充厂商也在方案中导入了SiC，悄然打开了碳化硅在消费快充领域的海量市场。

在PD快充技术升级的浪潮中，英嘉通的750V SiC MOSFET产品凭借其卓越的性能和可靠性，已赢得铭普、瑞吉达、乐瑞等多家知名PD快充厂商的青睐，成为其打造高性能快充产品的关键技术支撑。

那么，为何手机快充厂商纷纷将目光投向SiC MOSFET？他们又为何采用英嘉通的碳化硅方案？

对此，英嘉通负责人向“行家说三代半”强调道，“在当前手机PD快充市场中，碳化硅器件已成为实现高效率、高功率密度充电解决方案的关键组成部分。”

他进一步分析认为，碳化硅之所以能够快速切入这一市场，主要源于两大现实驱动：一是满足75W以上电源的PFC法规要求，二是应对终端设备对小型化的极致追求。而这两大需求，恰恰凸显了碳化硅材料本身所具备的多重性能优势。

一是高温特性优势。碳化硅器件在高温环境下表现稳定，在125℃时导通电阻可降低达40%，同时还兼具更小的器件尺寸、性能与成本优势。基于这一考虑，部分快充厂商选择在原有硅基MOS方案的基础上，会参考1.4倍的系数采用英嘉通的750V碳化硅方案。

二是雪崩击穿优势。相较于GaN，SiC MOSFET具备雪崩能力。以近期英嘉通与铭普联合推出的65W碳化硅PD快充为例，其采用了英嘉通的750V碳化硅器件，雪崩击穿电压达到850V以上，能为消费电子应用提供更高的安全冗余。

三是短路能力优势。如英嘉通推出的750V SiC MOSFET短路耐受能力设计为2.5μs，能兼顾器件本身的高性能与实际应用中的安全需求。

四是可靠性优势。SiC MOSFET因其较低的晶格缺陷密度，故具备与传统VDMOS相当的可靠性表现，不仅能用于消费电子，还广泛应用于工业控制、汽车电子等高要求领域。

五是无动态电阻优势。在高压硬开关及连续电流模式（CCM）下，许多功率器件会面临动态电阻升高的挑战，而碳化硅器件则几乎不受影响，系统运行更为稳定可靠。

六是成本优势。英嘉通负责人提及到，SiC器件成本正持续下降，部分应用中的系统成本已低于硅基MOSFET方案。8英寸量产将推动SiC不断突破原有应用边界，加速切入PD快充和适配器市场。

英嘉通负责人在受访时表示，以上优势已经在实际应用中得到验证。目前他们基于750V 360mΩ SiC器件开发的65W PD快充系统，不仅开关波形干净、速度可调，更在90VAC恶劣环境下实现了73℃的满载低温运行，综合体现了其卓越的高效与高温稳定性。

基于以上优势，SiC MOSFET将打开多大的市场空间？“行家说三代半”调研发现，业内估算未来快充头年需求量可达20-30亿支，这将为碳化硅器件带来百亿级别的潜在市场规模，尤其在高功率快充市场的前景将更为可观。

目前，英嘉通在手机快充领域已取得显著进展，但其视野并未局限于此。该公司负责人表示，英嘉通正积极将SiC MOSFET导入电视、适配器、LED驱动、两轮车充电等更多消费电子场景，进一步拓宽技术落地的边界。

基于此，英嘉通已对其制定详细规划：将于今年第四季度，在6英寸晶圆上量产750V 60-1200mΩ消费级SiC产品，并将在8英寸晶圆上量产750V等产品，以此来扩大生产规模，进一步提升产能与成本控制能力，增强在消费快充与工业电源等市场的综合竞争力。

“行家说三代半”进一步发现，英嘉通的碳化硅功率器件如今已覆盖750V-3300V，阻值范围从13mΩ至55Ω，在消费、工业和车规行业均已实现批量出货，出货量位居行业前列。

技术与市场双双突破

英嘉通GaN导入头部客户

在碳化硅领域持续发力的同时，英嘉通也注意到，随着PD快充市场的不断成熟，客户需求正日趋多元化。为全面应对这一趋势，英嘉通依托其深厚的技术积累，在PD快充市场同样布局了成熟且富有竞争力的氮化镓方案，以满足不同应用场景和性能要求的快充产品需求。

在接受“行家说三代半”采访时，英嘉通负责人系统阐述了其氮化镓方案的技术布局与核心优势。

首先，英嘉通在氮化镓产品线进行了全面布局，产品包括D-GaN和E-GaN产品，产品齐全。该负责人指出，英嘉通主推的DFN和TO系列量产规格30款左右，阻值覆盖100mΩ到600mΩ，可完整匹配30W至240W的各类PD快充应用，能满足头部厂商及市场主流应用的需求，例如倍思的65W 2C1A氮化镓充电器就采用了英嘉通的650V/250mΩ氮化镓开关管。

聚焦在核心性能方面，英嘉通氮化镓器件的硬击穿电压普遍超过1000V，能有效抵御工作中的电压尖峰，同时动态电阻小于10%，指标居于行业前列。

英嘉通负责人强调，英嘉通提供的是完整的系统级解决方案。以240W的PFC+LLC架构为例，他们可提供由高性能氮化镓开关管与优化的氮化硅二极管构成的完整方案，通过系统性地降低损耗、提升效率，助力客户打造更具市场竞争力的终端产品。

值得一提的是，在产品布局方面，英嘉通也已形成清晰的技术路线。

针对E-GaN技术路线，英嘉通的产品已覆盖700V和900V小功率合封、中高压双向器件以及200V以下的低压与低压对称（双向）器件。目前，高、低压E-GaN器件已在6英寸晶圆产线实现全面量产，并计划于2026年第二季度导入8英寸产线，届时产品成本竞争力将进一步提升。

针对D-GaN技术路线，英嘉通聚焦于小功率高压器件，900V器件已实现量产，未来还将推出系列低内阻D-GaN产品，以满足更多元的应用需求。

如今，凭借完整的产品矩阵，英嘉通氮化镓功率器件量产规格已超过30款，覆盖高压与低压全系列，出货量稳居国内厂商前列。

整体来看，英嘉通通过在碳化硅与氮化镓双赛道上的持续深耕与创新，已形成覆盖全面、性能突出的产品组合，能够为快充客户提供多样化的高性能解决方案，助力其在激烈的市场竞争中占据优势地位。

可以预见，随着第三代半导体技术的不断成熟与成本优化，SiC与GaN将在快充市场中形成互补共进的格局。英嘉通凭借在SiC与GaN双领域的深厚布局，持续为客户提供高性能、高可靠性的功率解决方案。

展望未来，英嘉通表示，公司将继续加大研发投入，深化产品创新，助力快充技术迈向更高功率、更小体积、更优体验的新阶段，推动整个行业持续向前。