新增3个GaN项目,或将建设8英寸产线

2025-06-27

插播:英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体、聚能创芯、铭扬半导体、镓宏半导体、镓未来、氮矽科技等企业已参编《2024-2025 氮化镓(GaN)产业调研白皮书》,参编咨询请联系许若冰(hangjiashuo999)。

近期,氮化镓领域又新增3个项目建设动态,有望为产业发展进一步提供有力支撑:

中科无线半导体:

将建设晶圆生产线

6月23日,中科无线半导体在官微透露,他们的机器人动力系统芯片亮相“中国科学院百项重大科技成果入桂转化活动”。与此同时,旗下全资子公司中科蓝谷半导体(广西)有限公司计划在广西建设第三代半导体晶圆生产线。

官网透露,中科蓝谷主要从事第三代半导体器件及军用产品解决方案研发,产品线包含GaN高压功率芯片等,其短期目标是在2024年-2026年完成350nm制程8英寸化合物半导体生产线建设,并实现自主可控生产,加大消费电子、新能源、装备领域国产化替代及市场推广。

另一方面,中科无线半导体基于氮化镓材料深耕机器人动力系统芯片研发和工艺制造,其特色工艺AI ASIC技术芯片采用半桥拓扑阵列GaN HEMT器件,缩小半桥驱动电路的体积,实现了小体积大能量的目标。芯片实现开关频率1MHz以上,能量转换效率大于98.5%,较传统Si基方案提升40%目标。

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红与蓝微电子:

签约运行8英寸GaN中试线

6月,红与蓝微电子在官微透露,他们与中国(上海)自由贸易试验区临港新片区管理委员会、上海临港经济发展集团科技投资有限公司正式签署了三方投资与扶持协议。

红与蓝微电子表示,此次签署的扶持协议,将助力红与蓝微电子进一步完善自身技术,强化区域微电子产业链。他们将发挥自身在 GaN 领域的技术优势,努力提高 GaN 芯片迭代速度,扩大研发规模及产能,推出多款自主知识产权产品,并开展合作,推动产业发展。

据了解,红与蓝微电子位于上海临港新片区,专注于研发以第三代半导体 GaN 为代表的功率半导体,探索 Fab-Lite 经营模式,签约运行8英寸氮化镓中试线。

此外,红与蓝微电子打造了上海临港新片区总部研发基地、佛山南海区工艺创新与制造基地、深圳南山区全球市场与服务基地,拥有自主研发的 GaN 器件结构、工艺配方和集成电路 IP 族群,并已开发出 650V/900V 氮化镓产品平台。

江苏常州:

签约GaN项目

6月,据常州发布透露,当地举行了“百场千企”产业链融链强链对接活动,共有10个半导体产业重点项目签约,其中包含一个氮化镓芯片的设计及可靠性测试服务项目。

值得关注的是,常州市此前还落地了一个氮化镓项目。2023年11月,晶通半导体与上市公司常州银河世纪微电子在江苏常州签署了双方关于氮化镓功率芯片的战略合作协议,将致力共同打造氮化镓功率器件研发与应用生态圈。

目前,关于新建氮化镓项目尚未透露更多信息,我们将保持紧密关注。

本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

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