近20家SiC企业齐聚，谁将引领行业新风向？

插播：5月15日，“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

4月15日至17日，慕尼黑上海电子展盛大举行。本届展会规模空前，吸引了来自全球的1800家展商参展。

在本届展会中，碳化硅和氮化镓技术成为亮点，多家厂商集中展示了其在高效能、新能源领域的突破性产品与技术，包括SiC功率模块、GaN快充芯片以及相关应用解决方案。这些技术凭借其高效率、低损耗的特性，正在推动电动汽车、工业电源等行业的快速发展。

在接下来的报道中，我们将深入聚焦第三代半导体领域的领军企业，逐一揭晓其带来的前沿技术和创新产品：

意法半导体

本届展会，意法半导体为观众呈现汽车、工业、关键技术赋能创新应用等三大板块的重量级产品和智能解决方案。

聚焦碳化硅应用，意法半导体此次带来高功率冷却系统电机控制方案，具有多种电机控制功能，例如驱动压缩机、风扇和泵，在人工智能数据中心、VRF HVAC和BESS中至关重要。

其中，意法半导体的1200V功率器件和STGAP3S隔离栅极驱动器提高了能源效率和可靠性。采用意法半导体的SiC MOSFET和SiC二极管，可以实现AI数据中心冷却所需的最高水平的鲁棒性、功率密度和能源效率。

华润微电子

此次，华润微电子带来了1200V 450A/600A的半桥DCM、全桥HPD共四款主驱模块等最新产品，充分凸显其技术优势。

据了解，华润微电子此次亮相的主驱模块基于成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，具备SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能，在汽车主驱系统应用中展现出了强大的竞争力。

从产品性能来看，其性能对标国际主流产品，采用6管/8管并联，通过对Vth的严格分档提高芯片一致性。此外还采用自主设计的Si3N4 AMB、银烧结、DTS工艺，均流特性好，寄生电感小，且通过采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃。

飞锃半导体

飞锃半导体精心准备了一系列创新成果参展，其中，涵盖应用于商用车、光伏以及电源领域的 Gen3 系列高压产品，包括 2000V、1700V、1500V 等不同规格，可充分满足更高母线电压的应用需求。

Gen3B 系列 1200V & 750V SiC MOSFET 目前已在光伏、充电桩、OBC 等领域实现批量出货。此外，飞锃半导体推出了 1200V 大电流 SiC 二极管，其 single die 产品能够精准满足客户对高浪涌电流的特殊需求。

聚焦于汽车主驱应用领域，鉴于该领域对低寄生电感和高功率密度的严苛要求，飞锃半导体展出1200V/2mΩ SiC MOSFET DCM 模块以及 1200V/7mΩ SiC MOSFET TPAK 产品。经对比测试，这两款产品在可靠性和一致性方面，可与欧美品牌产品相媲美。

OBC以及DCDC应用方面，飞锃半导体针对顶部散热的需求，展出了全新的X2PAK顶部散热，和SMPD半桥封装，在客户端验证时，性能卓越，参数偏移量小。X2PAK已有750V/25mohm和1200V/70mohm的产品，750V/40mohm和1200V/30mohm产品正在验证中。

瞻芯电子

瞻芯电子面向汽车电子、“光储充”、医疗和工业电源应用集中展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品系列，提供一站式芯片解决方案。

SiC MOSFET方面，继2024年重磅推出第三代1200V SiC MOSFET技术平台后，瞻芯电子持续拓展电压平台，覆盖了650V, 750V, 1200V, 1700V, 2000V, 3300V，并依据市场需求，推出一批新规格产品。

此外，瞻芯电子推出了不少模块产品：1200V SiC 半桥1B封装模块、2000V SiC 4相升压模块等。2024年，瞻芯电子还推出了采用SMPD和Transfer-mold封装的SiC模块产品，可显著提升车载电源、车载空压机的功率密度，已有新能源汽车Tier1客户导入应用。

瑶芯微电子

作为国内领先的功率半导体、传感器和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯微电子带来了最新一代的研发成果，覆盖SiC MOS、低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT、音频MEMS及信号链IC等系列产品。

其中，最新一代650V G5分立式 SiC MOSFET涵盖 20mΩ/33mΩ 等多款产品，无论是工业级还是车规级要求，都能完美满足。相比上一代 650V G4，G5(Ron,sp) 降低了 38%。同时，对寄生电容CGD等参数进行了优化，令该产品广泛应用于车载OBC、通信电源、UPS及高频DC-DC等领域。

此外，瑶芯微电子1200V G5 SiC MOSFET，采用更为先进的工艺平台，在G4.5的基础上再次迭代，Rsp进一步优化，降低9%，进一步减小导通损耗；同时米勒电容降低50%，大幅提升抗干扰能力，综合损耗行业领先。目前已成为新能源汽车、直流充电桩、光伏储能等领域的核心器件。

昕感科技

昕感科技携旗下SiC器件、功率模块、电源模组等产品与技术亮相慕尼黑上海电子展。

昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产。目前，昕感科技产品已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。

其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。截至目前，昕感科技SiC MOSFET累计出货客户百余家，产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。

瑞能半导体

瑞能半导体展示了从650V-2200V全系列的全国产SiC芯片、分立器件和SiC功率模块产品。包括面向汽车应用的车规级750V、1200V、1700V SiC产品，以及面向AI算力、工业、光伏储能、EV充电、电网等应用的650V-2200V各种阻抗和电流规格的SiC MOSFET、SiC SBD。

此外，SiC模块产品也是本次出展的一大亮点，包括WeenPack-B1/B2系列及WeenPack-34mm/62mm的灌封型模块产品、以及面向车载应用的内绝缘顶部散热SMD塑封模块产品WeenPack-TSPM。全方位展现瑞能SiC产品的强大产品阵容和研发实力。

值得关注的是，瑞能半导体对多个领域的市场需求，设计投放了多种新产品，包括：TSPAK顶部散热产品、瑞能WeenPack系列功率模块产品、1700V/2200V高压产品系列、750V/1200V/1700V车规产品系列等。

其中，车规级产品基于瑞能成熟可靠的Gen-2 SiC MOS及 SiC SBD产品平台，依托瑞能源自飞利浦和恩智浦的全球领先的车规产品体系，经过充分的AEC-Q101车规可靠性认证，结合车载应用如OBC、DC-DC、E-comp、Main-driver 等多种且广泛的应用要求，推出了包括顶部散热封装及功率模块在内的多种SiC产品，并已完成代表汽车体系最高标准的IATF16949质量体系认证及VDA6.3过程审核。

华太电子

此次展会，华太电子展示了射频、模拟、功率及MCU等核心产品系列，覆盖通信基站、新能源、工业控制及智能座舱等应用领域。 其中，高性能超级结IGBT与SiC产品，可助力光伏逆变器，储能变流器、车载充电机、充电桩等应用。

苏州华太电子技术股份有限公司是一家拥有半导体产业链多环节底层核心技术、多领域布局协同发展的平台型半导体公司，主要从事射频系列产品、功率系列产品、专用模拟芯片、工控SoC芯片、高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率封测业务，产品广泛应用于通信基站、光伏发电与储能、半导体装备、智能终端、新能源汽车、工业控制等大功率场景。

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至信微电子

在本次展会上，至信微重点展示了丰富多样的第三代半导体相关产品。在晶圆产品领域，至信微展出了1200V 7mΩ、750V 5mΩ两款超大电流晶圆。其中，1200V 7mΩ晶圆单粒芯片可承载266A的超大电流，750V 5mΩ晶圆单粒芯片可承载355A的超大电流。目前，这两款晶圆已实现量产，成功应用于航空航天、军工、工业等高端领域。

此外，至信微的产品线布局完备，本次展会携带了从650V到3300V的全系列SiC MOS、二极管、模块产品，可全面覆盖消费级、工业级、光储充、电网、轨道交通以及车规级应用。

在模块产品方面，至信微推出了基于1200V 7mΩ晶圆的超大电流系列半桥模块产品。与传统方案相比，该模块大幅减少了并联芯片的使用数量，优化了内部空间利用率，显著提升了功率密度，为终端客户提供了更高效、可靠的模块化解决方案。

在芯片产品方面，至信微推出了超高压碳化硅MOS系列产品，包括2200V、3300V系列碳化硅MOS产品，最低内阻可达19mΩ。

至信微具备业界领先的工艺设计能力。凭借超高的良率以及领先的RSP（即超高的功率密度），至信微能够为终端客户提供具有竞争力的产品。

凌锐半导体

本次展会上，凌锐半导体重点展示了从650V~3300V全系列全国产SiC芯片、器件和模块。包括电源、工业、光储充、电网、轨道交通用的650V、750V、1200V、1700V、2000V等多种电压和电流规格以及封装形式的SiC MOS器件；模块方面有全系列的灌封和塑封型产品。

据透露，凌锐半导体的产品具备四大亮点：一是平面产品Rsp只有2.6左右，率先实现了Rsp性能领先的器件的大规模量产；二是产品性能优异；三是生产和品质管控严格；四是采用全国产化的供应链，包括衬底、外延、晶圆制造和封测都实现了国产化。

此外，凌锐半导体的产品采用车规标准AEC-Q101做全面的可靠性考核，还通过了HV-H3TRB、2000小时HTRB和HTGB等多项加强性考核测试。器件在这些严苛测试下的稳定性，能改有效保障客户系统在长期苛刻现场环境下的稳定使用。

中瑞宏芯

聚焦碳化硅器件应用，中瑞宏芯带来了2000V SiC MOSFET、第二代1200V SiC MOSFET、Easy1B和Easy2B半桥模块等产品。

其中，2000V 40mΩ SiC MOSFET专为1500V光伏系统设计，采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5，优于行业水平，在高温下仍保持低导通损耗。芯片的米勒电容低，高dv/dt下引起的栅极尖峰较低，使得高压应用领域更安全。

第二代1200V SiC MOSFET导通电阻温度系数1.6，优于行业水平。采用特定的元胞设计、低比导通电阻，低开关损耗，适合高开关频率的应用。

Easy1B和Easy2B半桥模块功率密度高，内部集成NTC，使用高性能的Si3N4AMB陶瓷基板，热阻低、可靠性高。采用第二代SiC MOSFET芯片，拥有低导通损耗和开关损耗。模块杂感低，抗误导通，对用户的驱动设计和主回路设计更加友好。

昆芯科技

本次展会，昆芯科技展示了从1200V-3300V全系列的全国产SiC芯片、器件和模块。芯片产品包括1200V电驱用车规级芯片以及工业、光储充、电网、轨道交通用1200V-3300V各种电流规格的SiC芯片。

此外，器件方面有通过车规认证的1200V多种电流规格以及封装形式的SiC器件，模块方面有全系列的灌封型、塑封型产品，车规级SiC塑封模块出流能力最高可达600-800A、杂散电感可低至5nH。

值得关注的是，昆芯科技最新一代碳化硅MOS提供-2V/+16V的驱动电压，更加符合客户驱动需求，简便使用。 采用特殊元胞设计，高温损耗低于常温损耗，极大的降低了系统的发热，提升了效能。

此外，昆芯科技对多个领域的产品进行了升级，具体包括碳化硅Easy2B产品、碳化硅HPD产品、1200V ED3 产品、2000V ED3和Easy3B产品、3300V TO247产品等，能更好的满足电动汽车、光储充、大功率UPS等领域的需求。

真茂佳半导体

展会上，真茂佳半导体携带旗下碳化硅系列产品等参展，吸引了众人的目光。碳化硅方面，真茂佳展示了650V-3300V全系列的SiC车规级以及工业、光储充、电网、轨道交通应用各电流规格的芯片、器件和模块。

其中，重点产品有应用于储能领域3300V 640mΩ的TO263-7单管，应用于电驱的1200V 20mΩHSOP8模块、应用于OBC等高频领域的1200V 40mΩ的TO247-4单管和1200V 60mΩ的T2PAK单管、应用于光伏充电桩的1200V 10mΩ easy 1b半桥模块和1200V 30mΩ easy 1b全桥模块 。

值得注意的是，3300V 640mΩTO263-7单管属于真茂佳SHVSiC系列，适用于储能等超高压应用，耐压能力强，BV>4000V,高安全余量。RDS(on) x Qg 优值小，性能更好。1200V 20mΩHSOP8模块，属于真茂佳RobustSiC系列，适用于电机应用，GOX可靠性高，短路时间Tsc>3us,抗雪崩能力强，可通过超越AECQ标准的2000H HTRB 、HTGB验证。

矽迪半导体

针对150KW PCS和工商业储能应用，矽迪半导体在本次展会上重点展示了全SiC半桥三相四桥臂技术，可以轻松实现100%负载不平衡。采用窄边出线，轻易满足整机510mm宽度要求，相比两个6mΩ碳化硅半桥E2模块，单个EC模块可以输出更大的电流，轻松实现扩容，驱动容易实现等长布线，以提升SiC应用的可靠性，内部对称结构实现了较低的杂散电感和较低的热耦合分布，带铜底板封装技术带来的较大热熔分布，可以实现更大的热应力。

另一方面，在430KW PCS应用上，矽迪半导体采用全碳化硅多路对称NPC技术，用三相三模块实现430KW输出。相比两个模块并联，轻松实现高频器件的等长布线，器件级效率可以提升至99.1%。带铜底板封装技术带来的较大热熔分布，可以实现更大的热应力。

矽迪半导体（苏州）有限公司一直致力于功率模块应用解决方案的研发与销售，拥有自主知识产权的功率模块应用、仿真、设计、数据管理和项目流管理等于一体的EDA工具。团队具备全面的研发能力，包括提供终端应用方案，定制功率模块， 定义芯片研发等，始终致力于三电平和多电平市场，为客户提供应用性强、能效高、响应迅速的集成化产品解决方案，从而与客户建立稳固持久的合作关系。

MDD辰达半导体

MDD辰达半导体携带五大产品矩阵亮相上海慕尼黑电子展，包括整流器件、MOSFET、SiC碳化硅等核心产品线，并首发中低压大电流功率MOS管、TO系列快恢复二极管等新品。

MDD辰达半导体深耕分立器件领域17年，拥有覆盖MOSFET/二极管/SiC的全系列产品矩阵，其技术已应用于新能源汽车、小米充气宝等终端产品。公司通过IATF 16949认证，产品服务覆盖全球40多国，在工业控制、消费电子、汽车电子等领域提供高可靠性半导体解决方案。

平创半导体研究院

本次展会，重庆平创半导体研究院有限责任公司推出了顶部散热封装SiC MOS器件、双面散热MOS器件、低杂感工业级SiC MOS模块及驱动方案、有压烧结纳米铜膏、功率封装全铜互联解决方案、大面积系统铜烧结解决方案等多种新型功率半导体产品及工艺方案。

平创半导体研究院坚持从底层材料-芯片-封装-驱动解决方案全链条进行技术创新，从而为客户提供高性能、高可靠性、高性价比功率半导体解决方案。材料方面，其推出了行业首款量产型有压烧结铜膏，并成功攻克了AMB底板/塑封模块到散热器的大面积铜烧结工艺，推出了车规级大面积烧结功率模组。并且在功率模块中全面使用铜烧结技术，推出了全铜烧结SiC 功率模块。

分立器件方面，他们推出了顶部散热TOLT/QDPAK及双面散热TOLL封装等新型封装器件，其中双面散热TOLL封装相比传统单面散热封装可以提高30%的出流能力。在功率模块方面，他们推出了低杂感工业级SiC MOS功率模块，在保证P2P替换的条件下，对传统34mm、62mm封装内部结构进行叠层优化，可以保证模块的寄生杂感

泰克科技

此次展会，泰克科技携带丰富的测试新方案与两款重磅新品亮相。这两款新品分别为TICP系列IsoVu™隔离电流探头、EA PSB-20000 Triple三通道双向直流电源，前者拥有高达1GHz带宽、±1kV共模电压范围等技术亮点，后者每通道高达30kW输出能力、具备超高能效（高达96.5%）等优势。

此外，泰克科技还展示了半导体（模拟 / 功率）测试方案，其中包括动态/静态功率器件测试系统（DPT-1000A/SPT-1000A），覆盖GaN、SiC三代半，提供全参数验证能力。

先进连接

此次先进链接携银烧结、铜烧结、嵌入式PCB方案亮相展会。他们重点展示以下几大亮点：创新焊接材料、先进封装技术、一站式工程应用实验中心。

先进连接是一家集银烧结材料、银烧结设备及应用工艺的研发、生产、销售、咨询及技术服务于一体的国家高新技术企业，致力于为客户提供一站式解决方案。其核心产品自主研发，生产产品以银烧结设备、材料为主。银烧结设备已通过CE认证，所生产银烧结产品已通过AQG324标准测试。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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