科友半导体：以全链自主破局8英寸SiC量产壁垒

插播：英诺赛科、能华半导体、京东方华灿光电等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，演讲或摊位咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经历了重要的变化。展望2025年，行业也将面临新的机遇和挑战。为了更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道。

本期嘉宾是科友半导体研发技术总监张胜涛。接下来，我们将继续邀请更多领军企业参与《行家瞭望2025》，敬请期待。

2024 SiC行业在调整中蓄势：

竞逐技术突破与多元应用新未来

行家说三代半：据行家说Research预估，2024年SiC功率半导体市场同比增长14%左右，增速较去年有所下降，您如何看待SiC需求出现较大波动的背后原因？

张胜涛：目前来看造成上述问题的原因，在于以下两点：

A. 短期需求波动：下游市场增速放缓，车企价格战导致降本压力加剧，部分车型可能暂缓SiC方案，转而采用成本更低的IGBT或优化设计；B.供应链矛盾：产能扩张与良率爬坡的错配，高质量8英寸SiC衬底的良率提升慢于预期，实际有效产能因良率问题受限，制约了终端放量；2024年进入库存消化阶段，部分厂商为清理库存主动降价，进一步压制新增订单需求。

但是2024年SiC市场的增速放缓是短期供需再平衡与长期技术迭代叠加的结果，但并未改变其作为第三代半导体核心材料的战略地位。随着产能释放、成本下探和应用场景拓宽，市场有望在2025年后重回20%以上的复合增长轨道。面对行业目前的复杂情况，高精尖企业回暖的核心在于技术与技术的如何应用，KY semiconductor 一手”促“研发，稳步提升技术跟紧行业优先，迭代技术，一手”提“产能，两手相结合 应对行业的变化。

行家说三代半：如果用3个关键词总结2024年SiC行业的发展状况，您会用哪几个词？

张胜涛：我会用 “竞争’-”实力”-”机遇‘，来总结2024年SiC行业的发展状况

（1）竞争：2024年的竞争愈加猛烈，而行业从“野蛮生长”到“成熟竞争”的转折点，短期存增速放缓、价格竞争加剧的情况，但长期来看可以淘汰低效产能，沉淀核心技术，优化供需关系，为2025年后SiC在电动车、能源、工业等领域的全面爆发奠定基础。科友半导体在竞争初期阶段专注于 技术沉淀”，认真服务好每一位客户，科友的turnkey sulotion 一站式碳化硅长晶解决方案，能够为客户带来切实有效的利益，减少不必要的投入和精力。

（2）实力：2024年行业正经历一场多维度的激烈博弈，从技术路线、市场份额到供应链控制，竞争格局的演变深刻影响着行业走向，推动SiC行业走向“强者恒强”与“差异化生存”并存的新格局。科友半导体专注于高效能SiC长晶炉设备、原料成本控制工艺、8英寸衬底良率提升等方面进行研发，力争在技术降本方面独占鳌头，2024年度获得 各项荣誉 为技术沉淀的例证。

（3）机遇：2024年SiC（碳化硅）行业虽面临增速放缓与竞争加剧的挑战，但行业正处于技术迭代、应用拓展与全球产业链重塑的关键节点，新的增长空间和突破口正在显现；SiC行业的机遇并非均质分布，而是高度聚焦于技术领先者、场景开拓者与生态整合者，其本质是“在调整中蓄势，在竞争中突围”。科技企业首先需要领先的技术，技术的有效转化运用，形成口碑 获得市场的青睐，机遇将 陆续到来；科友的企业理念亦如此。

行家说三代半：尽管2024年SiC行业进入了阶段性调整期，但也不乏发展亮点。您认为行业今年取得了哪些新的进步？未来SiC行业的发展方向是什么？

张胜涛：2024年SiC行业的进步更多体现在“质变”而非“量增”。在技术层面，8英寸衬底量产、模块集成化创新推动了行业跨越成本的门槛；在应用层面，超充、氢能等新场景的突破缓解了对电动车单一市场的过度依赖；在生态层面，中国厂商在专利、标准、设备等环节缩小了与国际间的差距；这些进步为2025年后行业进入“成本-需求”正循环奠定了基础。

未来SiC行业的发展方向将围绕“技术普惠化、场景多元化、产业链自主化、生态全球化”四大主线展开。随着技术成熟度提升、成本持续下探以及能源转型需求驱动，SiC将从当前的“高端替代”逐步迈向“规模化普及”，在新能源发电、电动交通、工业节能等领域减少全球5%-10%的电力损耗，并在全球碳中和进程中扮演更关键角色。同时重塑电子电力系统，推动能源基础设施从“硅基时代”迈向“宽禁带时代”，支撑智能电网、6G通信等下一代技术。

所以正如科友对于碳化硅半导体行业的前景持乐观积极的态度，不断的投入研发和生产，确保质量的同时 等待行业逐渐向好。

地缘博弈之下：

国产SiC的技术突围与自主生态重构

行家说三代半：SiC行业竞争越发激烈，如何看待竞争格局变化？面临主要挑战和机会有哪些？

张胜涛：竞争格局的变化：

SiC行业的竞争格局正在从“群雄逐鹿”向“分层固化”演变，头部厂商通过技术、资本和生态壁垒加速确立优势，中小玩家则在细分市场或区域化夹缝中寻找生存空间。这一变化背后，既有技术迭代、成本压力、政策干预的推动，也有第三代半导体产业从导入期迈向成熟期的必然性。

头部企业通过8英寸衬底量产+车规级模块专利，在高端市场形成垄断，并加速向衬底、外延等上游延伸，构建自主可控的供应链：追赶者聚焦6英寸衬底优化，以性价比抢占中低端市场；开发“SiC+GaN”混合模块，适配消费电子、数据中心等高频场景，避开车规级红海竞争，同时采用“抱团突围”策略，纵向联盟形成产业链协作体，共享研发与产能资源，横向联合争夺场景定义权。竞争从“单一维度”转向“系统战”；未来的SiC行业竞争不再是单纯的技术或价格比拼，而是“技术突破+供应链韧性+生态联盟”的系统性较量。面对行业格局的变化，科友依然坚持独有的销售举措。

面临的主要挑战和机会：

SiC（碳化硅）行业在高速发展的同时，正面临技术、市场、供应链等多重挑战，但也孕育着巨大的结构性机会。

（1）主要挑战：

技术方面，8英寸衬底良率仍普遍低于70%，导致成本居高不下；例如，6英寸SiC衬底成本约为硅基的30倍，即使8英寸量产，成本仍远高于硅基；市场竞争方面，国际大厂通过规模化生产主动降价，挤压中小厂商利润空间；供应链方面，美国对华技术封锁（限制衬底设备出口）、欧洲推动供应链本土化，全球SiC供应链呈现“区域化割据”，推高综合成本；标准与知识产权方面，车规级认证门槛高，AEC-Q101等标准认证周期长（2-3年）、费用高，新进入者难以突破车企供应链壁垒。

（2）核心机会：

技术突破：8英寸衬底良率提升至80%以上（这个如何提升？衬底翘曲的解决？），SiC器件成本有望降至硅基的1.5倍以下，或向更大尺寸的衬底发展，从而降低单位芯片成本，推动中端车型大规模导入；

成本控制：改进加热技术、设计更合理的生长腔室结构，加大碳化硅生长设备、加工设备等的国产化研发力度，降低对进口设备的依赖，减少设备采购和维护成本。。

生态绑定：与车企、能源集团形成战略联盟，锁定长期订单，构建区域化生态结构，打造设备-材料-应用“内循环”供应链。

政策借力：利用各国碳中和政策与补贴，规避地缘风险，拓展区域市场。

行家说三代半：最近，美国对中国SiC衬底发起了301调查，该事件会对国内衬底、外延、器件、模块造成怎样的影响？国内SiC厂商应如何应对地缘政治的影响？

张胜涛：产生的影响：

（1）对衬底产业来说，若美国最终对中国SiC衬底加征高额关税，可能导致依赖美国市场的企业对美出口将大幅下滑。调查可能伴随技术封锁，限制衬底生产设备及高纯碳粉等关键材料对华出口，阻碍技术升级和产品质量提升。使市场对国内SiC衬底产业的发展前景产生担忧，影响投资者信心，减少产业投资，进而影响企业的研发和扩产计划。

（2）对外延产业来说，若美国联合盟友限制设备出口，国内8英寸外延片良率提升将受阻，外延厚度均匀性、掺杂精度等核心工艺参数优化受限，可能拉大与国际水平差距，影响国内外延企业吸收先进技术和经验，延缓技术进步。从而导致外延片企业的订单减少，需求下降，使外延片企业的生产计划受到干扰。

(3）对器件与模块产业来说，若国内衬底供应受限，部分依赖进口衬底的器件厂商需转向日韩或欧洲采购，成本增加10%-15%，侵蚀毛利率。同时，美国车企可能迫于政治压力减少采用中国SiC模块，导致国内企业难以通过AEC-Q101等认证进入国际供应链。

情况愈加复杂严峻，科友 首先沉淀技术，扩大技术影响力，同时发展国内市场的同时，将触角伸张到欧洲，印度等相对地缘政治宽松的oversea marketing ,当然，海外市场对半导体的技术和模式更加严苛，一站式碳化硅解决方案，正与其匹配；

如何应对影响：

（1）加速国产替代与内循环：加强国内SiC长晶与加工设备的国产化率，降低设备进口依赖度；国内新能源车企与能源集团优先采购国产SiC产品，抵消出口损失，锁定产能。

（2）加速推进市场多元化：开拓非美市场，加大对欧洲、东南亚的衬底出口，利用RCEP关税优惠降低冲击。聚焦边缘场景，在光伏储能、轨道交通等美国影响力较弱的领域扩大份额。

（3）促进产业链协同，构建“去美化”生态：促进形成设备国产化联盟，实现8英寸SiC全链条设备国产化率达到70%以上；推动高纯碳粉、石墨坩埚等材料本土替代，打破日美垄断；加强库存管理，合理规划原材料和产品库存，建立安全库存机制，应对可能出现的供应中断风险，确保生产的连续性。

（4）加强政策沟通与行业协作：积极参与政策制定向政府部门反映企业诉求，参与相关政策的制定和调整，争取政策支持，为企业发展创造良好的政策环境；加强行业自律，企业间加强沟通与协作，共同维护市场秩序，避免恶性竞争，形成产业合力，共同应对地缘政治带来的挑战。

美国301调查短期内压制中国SiC衬底出口，但长期来看将加速国内全产业链自主化进程。

科友半导体8英寸SiC攻坚战：

技术自主化与全球市场突围的双轨战略

行家说三代半：如何看待8英寸SiC的发展？贵公司在这方面有怎样布局？

张胜涛：8英寸SiC是行业“生死劫”，更是“通天路”。对中国而言，8英寸既是打破国际技术封锁的突破口，也是避免沦为“低端制造”的关键战役。若能在2025年前实现良率突破70%、设备国产化率超50%，中国SiC产业链有望在全球高端市场分得一杯羹，这场技术竞速的终局，将决定未来十年全球能源电子的权力版图。

科友半导体布局：

（1）设备更新：作为电阻炉量产大尺寸碳化硅的倡导者，前瞻性开展电阻加热式长晶炉设备及工艺开发，报道了国内第一颗基于电阻炉的8英寸碳化硅晶体，晶体质量居业内第一梯队。

电阻炉国产化率达到95%且稳定性高、晶体一致性好、晶体应力小等优势，有助于降低因晶体质量问题导致的成本增加。在6英寸单晶上实现中心厚度超过80mm、薄点厚度超过60mm的突破，该技术可能应用于8英寸产品，实现厚度突破。与俄罗斯N公司开展“8英寸SiC完美籽晶”项目合作，研发“无微管、低位错”完美籽晶，基于此项目成果进行晶体生长，带动8 英寸SiC晶体内部微管、位错等缺陷密度大幅降低，提高生长质量和良率，从而降低成本。

（2）生产工艺优化：进行热场设计、原料提纯、碳化钽蒸镀、籽晶镀膜及压接晶体生长、晶体退火等关键环节的先进工艺开发，可实现高良率、大尺寸、高品质、高厚度晶体生长，同时对8英寸碳化硅长晶良率进行科技攻关，从而突破70%大关。

研发独特的晶体生长热场耗材，如碳化钽蒸镀石墨件等，科友感应设备石墨耗材寿命比业内多3倍，实现了坩埚等关键耗材的多次重复使用，降低关键耗材成本。

（3）产业链升级：打造全产业链能力，提出碳化硅材料一站式解决方案，打造全产业链装备和材料研发制造能力，涵盖从原材料提纯、装备制造到晶体生长、衬底加工等环节，减少对外采购依赖，降低采购成本和中间环节成本。

（4）市场拓展：已经完成IATF16949等体系认证复审，拿到新能源汽车领域的敲门砖，为进入汽车市场奠定基础，未来将拓展在新能源汽车领域的市场份额。

行家说三代半：贵公司2025年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？

张胜涛：加大海外市场拓展力度：

进一步拓展非美市场国际订单力度，目前已经与海外知名企业签订长订单，首批产品已按合同如期交付，标志着产品得到国际市场的敲门砖，未来将持续扩大海外市场份额，提升品牌国际影响力。

同时确保国内市场的份额，用优质的技术和产品，赢得市场口碑和发展 是科友的企业口号。

接下来科友将更加具体的推动企业发展思路：

（1）技术突破：8英寸衬底良率突破70%，突破技术封锁，提升晶棒利用率达至80%以上。同时，研制更大尺寸SiC装备及材料，开发满足市场需求的新品类的SiC产品。

（2）产能扩张：加快扩产建设，将设备产线 & 衬底 长晶产品 进行合理布局，循序渐进提升；

（3）开拓市场：利用欧盟碳关税政策推广国产SiC低碳优势重点开拓欧洲、通过RCEP协议向东南亚出口衬底，规避美国关税壁垒、争取中东光伏电站、中亚风电等项目的供应衬底能力。

科友半导体始终以“技术自主化、产能规模化、市场多元化”为核心战略，努力在政策红利窗口期内完成从“追赶者”到“挑战者”的跃迁，最终实现在全球SiC产业版图中占据一席之地。

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