与车企联姻！这个SiC项目签约落户

继理想和三安成立SiC合资公司后（.点这里.）；今天，又有一家车企——长安汽车宣布与斯达半导体联手，成立SiC公司。而且斯达已经签约，将在重庆建设SiC项目。

据“行家说三代半”不完全统计，目前比亚迪、长城汽车、东风汽车、蔚来等车企也已直接深度介入碳化硅制造领域。

斯达半导＋深蓝汽车

成立功率半导体合资公司

6月20日，斯达半导体官微宣布，他们近日与长安旗下品牌深蓝汽车组建了一家全新合资公司——重庆安达半导体有限公司。

据介绍，安达半导体将围绕IGBT、SiC等车规级功率模块开展工作，共同推进下一代功率半导体在新能源汽车领域的商业化应用。

据”行家说三代半“此前报道，3月31日，国家市场监管总局官网已经公示了这一合营案。

深蓝汽车成立于2022年，计划在2025年前陆续推出共计6款产品，力争五年内实现产销突破100万辆。

斯达半导体主要研发和生产长期新能源汽车功率半导体芯片和模块，2022年其车规级模块配套超过120万辆新能源汽车。斯达将分别在重庆和浙江嘉兴建设IGBT/SiC项目，下文详述。

电驱方面，2022年4月，长安汽车与重庆青山工业在渝北区宣布成立电驱系统联合创新中心。在2023上海车展上，深蓝汽车展出了原力超集电驱（800V高压）。该电驱覆盖800V高压、油冷、SiC等技术，产业化正有序推进。

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斯达重庆项目签约

盘点其SiC项目布局

此次，斯达半导体除了与深蓝汽车在重庆成立合资公司外，他们还将在重庆建设IGBT/SiC模块项目。

5月18日，斯达半导体重庆车规级模块生产基地项目签约落户西部（重庆）科学城。根据报道该项目作为重点项目签约，将投资建设车规级模块生产基地，实现主控制器用大功率车规级IGBT模块、车规级碳化硅MOSFET模块研发、生产和销售。

此外，斯达旗下还有3个SiC相关项目：

● 2021年6月，斯达半导体募资35亿元建设4个项目。其中，与碳化硅相关的项目有2个，包括“SiC芯片研发及产业化”和“功率半导体模块生产线自动化改造项目”，合计金额为12亿元，其中年产目标包括8亿颗车规级全碳化硅模组。

今年4月，上述项目的两幢厂房已开始调试设备，其他厂房正在等待验收，预计将于今年四季度投产，达产后将形成年产72万片功率芯片的生产能力。

● 2020年12月，斯达曾拟投资2.2947亿元建设全碳化硅功率模组产业化项目，目前已建设车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。

吸引三安、意法、奕斯伟等

重庆成重要汽车产业基地

数据显示，重庆正在成为我国重要的新能源汽车生产基地，2022年当地的新能源汽车产量达36.52万辆，占全国比重为5.21%。

目前，除了斯科半导体外，今年以来，重庆还吸引了三安、意法、奕斯伟等企业建设SiC项目：

● 三安、意法：投资近230亿建碳化硅工厂

6月8日，意法半导体和三安光电在重庆签署了项目合作协议，合资建设8英寸碳化硅器件工厂，并举行了奠基仪式。

该厂建设总额预计约达32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元，计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成。

● 重庆大学、青山工业：合作开发SiC功率器件技术

4月25日，重庆大学与青山工业合作开发碳化硅功率器件技术项目启动仪式在重庆市璧山区青山公司顺利召开，双方举行了碳化硅功率器件技术项目签字仪式及合影。

● 奕斯伟：SiC部件项目开工

1月6日，重庆两江新区2023年第一批重大产业项目开工，其中包括北京奕斯伟科技集团投资打造的奕斯伟硅及碳化硅部件项目。该项目计划建设一座产能为3万个/月的硅及碳化硅部件生产工厂。‍‍‍‍‍‍‍‍

白皮书参编申请

行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。

企业参编请咨询：

陈女士 Tristar

微信号：13570314186

《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 SiC产业关键技术进展

2.1 SiC特性及技术优势

2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 SiC外延技术分析

2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析

2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析

2.6 SiC模块技术进展及趋势分析

2.7 SiC关键设备和材料技术分析

2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析

第三章 全球SiC半导体产业竞争格局

3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段

3.2 各国/区域SiC代表厂商

3.3 SiC衬底竞争格局

3.4 SiC外延竞争格局

3.5 SiC器件/模块竞争格局

3.6 SiC关键设备/材料竞争格局

《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 GaN产业关键技术进展

2.1 GaN特性及技术优势

2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 GaN外延技术分析

2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析

2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析

2.6 GaN关键设备和材料技术分析

第四章 全球GaN半导体产业竞争格局

4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段

4.2 各国/区域GaN代表厂商

4.3 GaN衬底竞争格局

4.4 GaN外延竞争格局

4.5 GaN器件/模块竞争格局

4.6 GaN关键设备/材料竞争格局

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