8寸！SiC行业又增5个“玩家”

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最近，碳化硅行业又有几项新的技术动态，主要涉及衬底和外延：

● 盛新材料：产出中国台湾首片8寸SiC衬底；

● 中山大学：生长出6寸碳化硅单晶；

● EEMCO：开发数据建模技术提高碳化硅晶体质量；

● Resonac：第三代SiC外延片开始量产；

● Gaianixx：开发“中间膜”外延技术 ，可以提高同质碳化硅外延或硅基碳化硅外延的质量。

新增3家6-8寸碳化硅衬底玩家

● 盛新材料产出8寸SiC

3月14日，据中国台湾媒体爆料，盛新材料已经成功产出台湾首片8寸SiC衬底。

2022年7月，鸿海集团投资约1.13亿人民币收购盛新材料科技10％股权。2023年，盛新材料规划65台SiC长晶炉——广运自制50台、日本设备10台、美国5台。该公司称，在所有长晶炉全数启动的假设下，期望良率达70%。

盛新材料董事长谢明凯表示，这是台湾成功试产的首炉8寸SiC，由于台湾SiC供应链在8寸仍未成熟，包括没有8寸的SiC切晶、晶圆厂及元件等产能，所以此次是由台湾以外的伙伴完成首片8寸衬底。

根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，目前全球已有超14家企业在8寸碳化硅衬底方面实现突破，而Wolfspeed已于去年实现生产。谢明凯指出，在8寸方面，盛新材料与Wolfspeed的距离只有一年之遥。

● 台湾大学开发出6寸SiC单晶

3月6日，台湾导报发文称，中国台湾省国立中山大学晶体研究中心已经成功生长出6寸导电型4H碳化硅单晶。

该大学的材料与光电科学学系教授兼国际长周明奇指出，6寸导电型碳化硅单晶的中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370μm/hr。而目前台湾企业的生长速度约在150-200μm/hr之间，晶体稳定性与良率仍有待提升。

周明奇强调，目前团队已投入8寸导电型碳化硅生长设备研发设计，今年将持续推进碳化硅晶体生长核心技术，也正在打造高真空环境，研发生长半绝缘碳化硅。

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● EEMCO：利用数字建模提升SiC晶体质量

3月6日，据外媒报道，奥地利的莱奥本矿业大学在开发新的建模方法，目标是帮助碳化硅企业提高单晶生长质量。

据该校负责人介绍，通过PVT法生产高质量的SiC 晶体，需要能够尽可能精确地预测晶体生长过程。 虽然传统物理建模已经很先进了，然而这需要大量的数据和相应数量的实验，需要耗费大量的时间和财力。

为此，该校CD实验室希望结合基于物理和数据驱动的模型，以获得尽可能高效和可预测的碳化硅晶体生长方法，他们的合作伙伴是碳化硅衬底厂商EEMCOGmbH。

EEMCO是一家成立于2020年底的初创公司，由EBNER 集团控股。该公司已经开发出4H SiC单晶生长炉，正在迈向8英寸4H SiC单晶制造，工厂位于奥地利莱昂丁，目前EEMCO 运营着 15 个研究炉，使用PVT工艺在气相中生长SiC单晶。

有意思的是，EEMCO还与另一家台湾碳化硅初创公司有关。

今年3月初，晶赫泰CEO熊治勇在接受台湾媒体采访时表示，他曾是台湾中科院SiC长晶计划的分项主持人也是实际开发者，也拿下台湾首张相关专利。随后曾出任EEMCO技术长，直至近半年携研发团队回台湾创立晶赫泰。

2项碳化硅外延技术进展

● 昭和电工第三代外延片量产

3 月 1 日，Resonac（昭和电工改名）官网宣布，他们开发出了第三代SiC外延片（HGE-3G），并已经开始量产，质量优于第二代SiC外延片（HGE-2G）。

据悉，HGE-3G在高电流密度下具有高可靠性，将为SiC功率模块的普及做出贡献。

● Gaianixx新技术提升外延质量

2月23日，日媒发文介绍了东京大学孵化公司 Gaianixx的外延生长技术——计划使用“中间膜”技术来防止 SiC 衬底缺陷转移到外延生长环节，还可以用在硅衬底上生长SiC外延。

根据官网，Gaianix成立于2021年11月，计划引进年产7000片中间膜的外延生产设备，2024 年左右开始量产设备。他们计划在2025年前后进入SiC等功率半导体领域。Gaianixx 利用独特的技术解决了“马氏体外延”的传统难题，可以实现高品质的多层单晶。

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