昨天，香港地区针对第三代半导体的布局又宣布了一大动作——计划建设8英寸GaN项目，目标到2027年实现1万片的产能。

去年10月，香港还和内地SiC企业合作共建8吋SiC项目，一系列动作显示了香港在第三代半导体领域的雄心，详情请看：

投资达1.85亿

香港新建8吋GaN产线

7月30日，据香港媒体消息，香港科技园公司（HKSTP）与麻省光子技术(香港)有限公司（MassPhoton）成功签署了合作协议，将在香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。

据悉，该研发中心将注于8英寸氮化镓外延片工艺及其设备平台的开发，旨在生产氮化镓光电子和功率器件。MassPhoton计划投资2亿港元（约1.85亿人民币）建设该项目，投产后将进行小批量生产，目标是到2027年实现年产能1万片。

公开资料显示，MassPhoton于今年1月在香港成立，专注于生产紫外线C消毒产品。该公司由资深海归技术团队创立，总部位于深圳，在香港建立分支机构，同时在徐州建立生产基地，并在美国波士顿大学建有光科学及消杀技术实验室。

该公司创始人兼首席执行官廖翊韬表示，他们的目标是将其GaN晶圆应用于显示技术、汽车和数据中心等领域，并计划在今年年底前再筹集1亿港元的资金。

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8吋SiC项目、微电子研发院

回顾香港第三代半导体产业布局

签约现场，香港创新、科技及工业局局长孙东表示，第三代半导体是香港近年重点发展的科技领域。香港政府正积极推进微电子产业发展，计划设立碳化硅和氮化镓中试线，以促进产、学、研合作。

“行家说三代半”此前也报道过香港在第三代半导体领域的相关布局——

● 成立香港微电子研发院

今年5月，香港立法会财务委员会宣布通过了两项有关创科发展的拨款，其中一项为拨款28.4亿港币（约26亿人民币）成立香港微电子研发院。

该研究院的研发定位主要将专注支援第三代半导体，提供一个「政产学研」协作平台，完善香港的创科生态圈。该研究院计划在元朗创新园设立，除了设立氮化镓中试线外，还将打造一条碳化硅中试线，并在今年内投入运营。

● 联手杰平方建设8吋SiC项目

2023年10月，杰平方半导体宣布与香港科技园公司签署了合作备忘录，将在香港科学园建造8英寸SiC IDM晶圆厂。该工厂总投资额预计达69亿港元（约64.4亿元人民币），届时将成为香港首个第三代半导体厂房，目标5年后年产能达24万片，每年生产总值达110亿港元，创造逾700个职位。

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