今天，三安半导体宣布，旗下湖南碳化硅半导体产业化项目二期通线在即，预计12月正式投产；而其位于重庆建设的项目也将在8月通线，详情请往下看。

7月25日，“湖南三安”官微宣布，他们于24日举行了芯片二厂M6B设备入场仪式，这标志着湖南三安SiC项目二期通线在即，将为全面加速8吋SiC产业布局，实现产线正式投产奠定了良好的基础。

消息进一步指出，M6B作为湖南三安布局SiC产业的重要一环，其投产情况备受关注。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。

电力电子事业部总经理、湖南三安总经理江协龙表示，M6B的建成投产是湖南三安发展历程中的一个重要里程碑，在新的起点上，公司将继续坚持创新驱动，在提高产能的同时，也将不断提升产品质量，打造国内先进的8吋SiC垂直整合产业链。

据“行家说三代半”此前报道，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台；现项目一期已经全线投产、项目二期全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，整个项目达产后项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。

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除湖南项目外，三安半导体与意法半导体在重庆布局的SiC项目也宣布即将投产——

6月30日，重庆三安半导体衬底厂迎来了主设备入场，并且进机仪式取得圆满结束，标志着重庆三安衬底工厂通线即将进入倒计时阶段，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。

据“行家说三代半”此前报道，去年6月，意法半导体和三安光电宣布将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂，而三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。

2大项目均位于重庆高新区西永微电子产业园，总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力。

随着湖南及重庆8吋SiC项目的通线、投产，三安半导体将进一步为国内外市场提供更多的高质量SiC衬底和功率芯片，并更好地满足不断增长的电动汽车市场需求，供应更多高效率、高功率密度和高温稳定性的车规SiC产品。

值得一提的是，三安半导体已确认出席10月17日由行家说和湾芯展将联合在深圳举办“新能源汽车800V高压系统与功率半导体技术大会”，届时，三安半导体将围绕“应用于电动车 800V系统的功率半导体整体方案”等主题发表重磅演讲。

本次大会，不仅是一场新产品、新技术技术的盛会，更是一个行业交流、合作与创新的平台，还没报名的赶紧扫描下方二维码报名吧！

除三安半导体外，本次大会还将拟邀意法半导体、罗姆、博世、基本半导体、芯聚能、纳微、安世半导体、宏微、斯达、士兰、瞻芯、利普斯、纳芯微法拉、永铭、尼吉康、泰克科技、宝士曼、快克、贺利氏、聚峰等功率半导体相关厂商针对800V汽车平台对核心元器件等相关内容与现场观众展开交流讨论。

此外，还将邀请小鹏、蔚来、广汽、威睿、博格华纳、钧联、臻驱、易事特、特来电、科华、欣锐、威迈斯、英博尔、致瞻、中车、福瑞电气、美的威灵、银轮股份等汽车OEM和Tier 1厂商参与演讲，探讨800V高压系统的最新技术进展和未来趋势。

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