近日，江西和浙江的2个GaN项目迎来新进展：

● 万年晶：氮化镓车载功率器件项目已投产，年产达20万片。

● 衢州智造新城：新增GaN晶圆制造项目，计划产能1万片/月。

万年晶：

GaN项目已投产

7月16日，据“大美上饶”公众号消息，近日，万年晶第三代半导体项目已正式投产。

据悉，该项目于2023年1月落户江西万年县高新区，项目总投资25亿元，占地136亩，投产后将成为江西省首个量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂，年产量达20万片。

江西万年晶半导体公司展厅

公开资料显示，万年晶半导体是江西省内首家蓝宝石基功率器件研发、生产和销售公司，主营第三代半导体高电子迁移率晶体管芯片，可广泛应用于数据中心、储能、汽车电子等领域。

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衢州智造新城：

GaN项目获奖

7月15日，据“衢州智造新城”公众号消息，浙江省衢州市近日举行了2024重大项目谋划展示活动，12个项目上台PK，其中一GaN项目斩获了一等奖。

据介绍，由衢州智造新城管委会报送的“第三代半导体晶圆项目”获得一等奖，该项目拟选址智造新城东港片区，建设用地面积150亩，计划形成1万片/月的氮化镓晶圆生产能力。目前该项目的建设方暂未披露，“行家说三代半”将持续跟踪报道，敬请期待。

衢州智造新城管委会投资促进部部长方中元表示，眼下，集成电路产业发展进入到重要战略机遇期，智造新城按照“半导体材料+设备零部件+特色IC制造+封装测试+模组+整机”的集成电路全产业链发展思路，加快推进泛半导体产业园建设。以氮化镓为原料的第三代半导体技术，将以突破性的性能和广阔的应用前景，成为科技创新和产业发展的重要驱动力。

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