近期，“行家说三代半”统计发现，8英寸SiC晶圆投资热潮愈演愈烈，安世半导体也斥资近15亿加大建设力度；今年Q2以来，国内外还有11起相关项目动态，本文做了相关梳理。

安世半导体：

新建8英寸SiC/GaN产线

6月27日，Nexperia（安世半导体）官网宣布，他们计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅和氮化镓等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。

安世半导体进一步指出，其首批高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线已投产，接下来将建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。

德国汉堡工厂

同时，这笔投资还将增加硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能，并推动德国汉堡工厂现有基础设施的进一步自动化，通过系统地转换到8英寸晶圆来扩大硅生产能力。安世半导体在扩大无尘室面积后，还将新建研发实验室，以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。

安世半导体官网显示，德国汉堡工厂建立于1953 年，目前每年生产超过 100 万片 8 英寸和 6 英寸晶圆，这意味着每年可生产1000亿颗器件，此次投资将使汉堡晶圆厂覆盖宽带隙半导体的全系列产品，它仍然是全球最大的小型信号二极管和晶体管工厂。

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Wolfspeed、意法、三安等

盘点Q2 8吋SiC/GaN项目动态

2024 Q2以来，国内外共有11个8吋SiC/GaN项目宣布扩建/投产等。

● Wolfspeed德国8吋SiC工厂

4月3日，据多家外媒报道，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。

据悉，该工厂由Wolfspee主导建设、采埃孚参与建设，预计耗资约27.5亿欧元（约合人民币215亿）；该工厂原计划于2024 年夏季开始建设，但据Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe透露，如今可能要到 2025 年才会启动建设。

● 世纪金芯8英寸SiC加工线已建成

4月9日，世纪金芯宣布实现了8英寸SiC关键技术突破，，他们开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。通过进一步优化工艺，预期世纪金芯的8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。

产线方面，其8英寸SiC加工线已同步建成，在2024年2月正式贯通并进入小批量生产阶段，在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。

● 三安8吋SiC线将投产

5月9日，湖南三安半导体官方透露，湖南三安半导体董事长林志东近日应邀参加了中法企业家委员会第六次会议。

会议期间，林志东介绍了湖南三安SiC项目最新进展——湖南碳化硅半导体产业化项目一期已经全线投产，SiC年产能已达到25万片（折合6吋算）；项目二期正在稳步推进中，将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。

● 士兰微新建8吋SiC线

5月22日，士兰微发布公告称，他们与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府等多方签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》及《投资合作协议》，将共同合资在厦门市海沧区建立一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。

该项目分两期建设，总投资规模约120亿元，两期建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。

● 芯联集成8吋SiC晶圆下线

5月27日，芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批已于4月20日顺利下线。

据“行家说三代半”此前报道，该产线为6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生产线，总投资金额为9.61亿元，项目全面建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。

● 三菱电机8吋SiC工厂明年投产

5 月 29 日，三菱电机举办了 IR Day 2024，公布了旗下8吋SiC相关进展及战略目标等——

据悉，三菱电机位于日本熊本县新建的8英寸SiC工厂的竣工时间将定为2025年9月，投产时间将从2026年4月提前至2025年11月；该新工厂共有六层，总建筑面积约4.2万平方米，将主要负责8英寸 SiC 晶圆的前端工艺。

● 意法半导体新建8吋SiC工厂

5月31日，意法半导体宣布，他们将在意大利的卡塔尼亚，新建一座8英寸SiC全产业链工厂，预计投资总额高达50亿欧元（超过392亿人民币），年产能高达72万片。

● 韩国EYEQ Lab建设8英寸SiC工厂

6月5日，韩国首座8英寸SiC功率半导体工厂将在釜山建成，该工厂已于5日上午举行了奠基仪式。

该工厂的建设方为EYEQ Lab，据“行家说三代半”拿到的材料，该公司的8英寸SiC晶圆产能为14.4万片/年，投产时间预计为2025年9月。

● Zoho计划建8吋SiC工厂

6月10日，据外媒报道，印度软件集团Zoho已于近日向当地政府申请开展半导体制造的许可证，计划在半导体项目上投资7亿美元（约50.7亿人民币），目标制造SiC功率半导体。Zoho正在与苏格兰碳化硅厂商Clas-SiC对接，计划从Clas-SiC获得相关技术支持，以共同建立一个或多个SiC工厂。

氮化镓方面，英飞凌、台亚半导体等进展如下：

● 英飞凌将扩大8吋GaN优势/产能

5月29日，据外媒消息，英飞凌宣布推出两款新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN器件，两款新产品系列均在马来西亚居林工厂及奥地利菲拉赫工厂基于高性能8 英寸晶圆代工工艺制造，使客户能够在更广泛的应用中使用40V至700V电压等级的氮化镓。

● 台亚半导体8吋GaN产线将启动

5月28日，台亚半导体举行股东会，通过了此前董事会决议将8英寸GaN业务分割的计划，子公司冠亚半导体将承接该业务。

冠亚宣布，其8英寸GaN第1套生产线目前已完成全部设备进机，预计今年第三季度初启动相关器件开发，年底前通过产品验证。

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