近日，天科合达、同光股份、南砂晶圆及普兴等先后公布旗下SiC项目进展，涉及8寸项目、衬底及外延等环节，详情请往下看。

普兴电子：

SiC外延项目环评公示

2月23日，普兴电子官网宣布，其“6英寸碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示。

根据公告内容，该项目建设性质为扩改建，项目总投资3.5亿元，用公司厂房，采购碳化硅外延炉116台及配套测试仪器等，建设完成1条6英寸碳化硅外延片批量生产线，实现年产6英寸碳化硅外延片24万片的生产能力。

此前，普兴电子总经理薛宏伟曾表示，2024年普兴还将对8英寸碳化硅外延片进行扩产，达到年产60万片6至8英寸碳化硅外延片的产能。

天科合达：

SiC外延项目招标

2月4日，北京市工程建设招标投标交易系统发布了“天科合达碳化硅衬底产业化基地研发中心外延车间改造工程”招标计划。

公告显示，天科合达将启动碳化硅衬底产业化基地研发中心外延车间改造工程，预计投资2550万元改造区域的建筑装修、洁净空调系统、消防系统、工艺动力系统以及室外改造部分等。

值得一提的是，春节期间天科合达碳化硅衬底项目也取得喜人进展——碳化硅晶片二期项目总投资8.3亿元，计划3月份开始生产设备单机调试、5月份进行生产联调联试，计划8月份正式投产，达产后年产碳化硅衬底16万片。

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同光股份：

SiC二期项目建设用地获批

2月2日，河北保定市人民政府公布了《河北同光半导体股份有限公司年产20万片碳化硅单晶衬底项目（二期）建设用地批后公示》，同光股份SiC衬底二期项目已获建设用地规划许可证。

据“行家说三代半”此前报道，2020年3月，同光股份与保定市涞源县人民政府举行年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目签约仪式，项目总投资9.5亿元。

2021年9月，同光股份董事长郑清超在该项目投产上曾表示，“同光正谋划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地和年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，拟总投资40亿元，预计2025年末实现满产运营后。”

因此，本次公示的年产20万片碳化硅单晶衬底项目（二期）将是同光股份进一步扩产的第一步，目标在2025年做到50-60万片的产能。

南沙晶圆：

山东SiC扩产项目完成备案

近日，“行家说三代半”在山东省投资项目在线审批监管平台上查询发现，南砂晶圆山东济南SiC扩产基地项目已于1月30日已完成备案。

2023年6月，南砂晶圆的全资子公司山东中晶芯源完成注册，该公司将为济南扩产基地项目的主建方。南砂晶圆济南扩产基地负责人李树强曾透露，该项目计划在2025年满产达产，届时预计产值达到50亿元以上。

今年8月，南砂晶圆/山东大学在《无机材料学报》公布了8英寸SiC的最新进展，他们已成研发出8英寸导电型 4H-SiC 晶体，并加工出厚度520 μm衬底，为济南8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目夯实了技术基础。

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