12月13-14日，由行家说举办的三代半年会”2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼“将在深圳举办。

本次活动云集了英飞凌、意法半导体、安森美以及罗姆等众多的碳化硅和氮化镓大企业，将在2天内带来二十余场重磅演讲，为汽车、工业等下游用户呈现最热门和前瞻性的新技术和新产品。

除技术论坛外，行家说还将倾力打造2天专场展览及1场颁奖盛典，预计2天活动将有近1000名来自应用终端企业、碳化硅和氮化镓主供应链企业、关键耗材和设备企业的专业人士出席，共同探讨行业未来发展趋势。

其中，中国科学院物理研究所已确认参会。届时，中国科学院物理研究所副研究员李辉将带来《液相法生长碳化硅单晶研究进展》的主题报告。

相比物理气相输运法(PVT)，高温液相法可在更低的温度(＜2 000 ℃)、近热力学平衡的状态下实现SiC 晶的生长，理论上更容易获得高质量的SiC单晶。此外，高温液相法还具有生长的晶体无微管、生长过程可调控性更强、易扩径、易实现p型掺杂等优势。该方法有望成为继PVT法之后制备尺寸更大、结晶质量更高且成本更低的SiC 单晶的方法，从而进一步促进SiC产业的快速发展。本报告将对液相法生长技术和中国科学院物理研究所最近在液相法生长SiC单晶的研究进展进行介绍。

嘉宾介绍

李辉，中国科学院物理研究所副研究员，博士研究生。中国科学院物理研究所海内外杰出引进人才，副研究员。Ludo Frevel Crystallography Scholarship Award获得者，中科院青年促进会会员(第四届)，中国科学院卢嘉锡青年人才奖，英国皇家学会高级牛顿研究学者，北京市科学技术进步一等奖获得者。

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主要科研成果：采用PVT法生长了8英寸SiC单晶，发展了8英寸SiC单晶加工技术，获得了8英寸SiC晶片。采用高温液相法生长了大尺寸p-SiC晶体和n-SiC晶体。通过高温液相法在国际上首次生长了2-4英寸3C-SiC单晶。

在Chemical Reviews、Nature Energy、Nature Chemistry、JACS、Journal of Materials Chemistry A等期刊上发表SCI论文90余篇，获授权专利7项，译着1部。

大会介绍

本届大会举办时间为12月13-14日，会议地点为深圳(宝安区)国际会展中心皇冠假日酒店G层会展湾宴会厅。

除中国科学院物理研究所外，烁科晶体、百识电子、北方华创、三安、普兴电子、科友半导体、安森美、爱发科、英飞凌、华灿光电、安世半导体、罗姆、意法半导体、Qorvo、Power Integrations、基本半导体、飞锃半导体及智程半导体等企业也将带来重磅演讲。

与此同时，意法半导体、烁科晶体、百识电子、飞锃半导体、希盟科技、岱美仪器、千叶净化、惠特科技、国顺硅源、惠丰钻石、诚联恺达、长联半导体以及创悦光谱等众多企业将展示最新技术和产品方案（持续更新中...）。

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