8寸碳化硅正在提速，前段时间，国内新增了3个8寸SiC玩家（.点这里.），最近，又有4家厂商迈进一大步，实现相关技术的领跑：

● 瀚天天成：8英寸SiC外延获得近14亿元订单，在手订单35万片。

● 天岳先进：采用液相法，制备出了全球首个8英寸SiC晶体。

● Wolfspeed：8寸SiC MOS器件工厂已实现批量出货，客户在中国。

● 高测股份：8英寸碳化硅切片机量产，已形成销售。

瀚天天成：

8寸外延获14亿订单

在手订单35万片

7月6日，瀚天天成宣布，他们在上周签署了多项长期合约，其中包括价值超过1.92亿美元（约13.91亿人民币）的8英寸SiC长期合约。

据“行家说三代半”此前报道，瀚天天成在前段时间，率先实现了8英寸碳化硅外延工艺的技术突破，拥有了国产8英寸SiC外延片的量产能力（.点这里.）。

据瀚天天成介绍，瀚天天成2023年在手订单已达35万片，全球占比高达43.7% 及32.7%。瀚天天成签订的2023年度订单超过了原全球龙头企业年产能的3倍多。

目前，瀚天天成正在积极扩充产能。据“行家说三代半”此前报道，他们拟在厦门新增75条SiC外延片生产线，预计新增30万片/年的产能。

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天岳先进：

8寸SiC液相法获突破

6月29日，天岳先进携8英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相Semicon China展会，受到高度关注。天岳先进CTO高超博士在同期举办的功率及化合物半导体产业国际论坛公开了公司最新进展。

天岳先进CTO高超博士介绍公司最近技术进展

在产品方面，目前天岳先进以6英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球客户的需求。产能上，他们上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持续发力提升6英寸衬底的产量；晶体质量和厚度持续提升，规模化生产衬底质量稳定可靠。通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。

高超博士介绍8英寸液相法进展

在技术及研发方面，一直以来，天岳先进持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。作为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术，液相法备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。近日，他们采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。

除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用他们最新技术制备的晶体厚度已突破60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是天岳先进重点布局的技术方向之一。

天岳先进将继续在产品尺寸、晶体厚度、衬底品质等多维度持续加大研发和技术提升，始终保持领先，引领行业发展。

Wolfspeed：

8寸SiC MOS批量出货

7月5日，Wolfspeed宣布，他们的美国莫霍克谷8英寸SiC器件制造厂已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅 MOSFET。

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据悉，该公司首批供应的8英寸SiC MOSFET规格为1200V/40m/66A ，莫霍克谷器件工厂后续还将开始更多产品型号碳化硅器件的样品申请，并批量出货中国市场。

据”行家说三代半“此前报道，莫霍克谷工厂是世界上第一个完全自动化的200mm碳化硅工厂，已于2022年4月宣告正式开业。

高测股份：

8寸SiC切片机形成销售

7月4日，高测股份宣布，他们已推出了新一代8英寸碳化硅切片机，目前该设备已经形成销售。

据介绍，该产品是一款使用金刚线切割碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm，实现多锭同时切割；综合切割成本降低30%以上。

值得一提的是，该设备加工时间≤20h，对比砂浆切割提升1倍以上产能；采用φ0.14mm及以下金刚线切割，出片率可提升5%以上。

高测透露，该公司的碳化硅切割设备上市不到一年，已销售的设备总年产能已超54万片，今年累计订单达30台。

注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。

白皮书参编申请

行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。

企业参编请咨询：

陈女士 Trista

微信号：13570314186

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