今年7月，安森美投资约67亿元的SiC厂正式奠基（.点这里.）。最近，英飞凌投资约144亿元的晶圆厂也正式奠基，2024年量产。

英飞凌马来工厂奠基

总投资约144亿

据外媒报道，7月7日，英飞凌投资超20亿欧元（合计约144亿人民币）在马来西亚居林建造的第三个厂区正式奠基，预计将于2024年第三季度完成建设，创造约900个工作岗位。

英飞凌方面表示，该厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将显着扩大宽禁带（碳化硅和氮化镓）半导体产能，首批晶圆计划将于2024年下半年开始出货。

而且，其居林3号厂区配备齐全后，将通过碳化硅和氮化镓产品为英飞凌产生20亿欧元的额外年收入。

未来几年，英飞凌的奥地利Villach工厂的6英寸/8英寸硅生产线也将进行改造，用于生产SiC和GaN，作为他们宽禁带技术的创新基地和全球能力中心，目标是到本世纪中期通过基于SiC的功率半导体实现10亿美元的收入。

意法半导体、SK等企业

纷纷在衬底端和芯片端进行扩产

近年来，随着电动汽车、充电和存储基础设施以及可再生能源对宽带隙功率半导体需求的强劲增长势头，Wolfspeed、英飞凌以及意法半导体等多家国外企业陆续宣布扩产。

据不完全统计，衬底端方面扩产的有意法半导体、Wolfspeed以及安森美等企业。

● 5月2日，意法半导体向德国PVA采购碳化硅晶体生长生产系统，这意味着意法半导体的8寸碳化硅生产线已经开建。据了解，意法半导体的8寸碳化硅线位于意大利卡塔尼亚的新基地，2021年11月，意法半导体宣布将投资数亿欧元建设该新基地，以生产Norstel研发的8英寸SiC衬底，目标是到2024年实现40%碳化硅衬底的自主供应。

● 4月25日，Wolfspeed新的碳化硅工厂举行剪彩开业仪式。据了解，2019年5月，Wolfspeed宣布投资10亿美元（约64亿元人民币），在美国北卡罗莱纳州建造碳化硅超级工厂，要将产能扩大30倍。

● 2021年11月，SK Siltron的美国子公司SK Siltron CSS表示将在未来5年内，在美国投资6亿美元（约38.42亿人民币），扩大美国碳化硅晶圆生产规模。

● 3月28日，昭和电工宣布，已经开始量产6英寸SiC单晶衬底。2021年8月，昭和电工募资约64.56亿人民币，碳化硅衬底方面的扩产资金约为3.4亿人民币，该扩产项目预计要到2023年12月完工。

● 5月18日，日本OXIDE公司披露了碳化硅长晶等项目的业务计划。根据公告，OXIDE于今年2月投资4亿日元（约2100万人民币），用于建设第五个工厂，该工厂专注于开发超高质量的8英寸SiC晶圆。

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● 在2022年第一季度财报中，安森美宣布2022年计划将碳化硅衬底产能扩充4倍。

● 11月9日，II-VI公司在2022财年第一季度（截至2021年9月30日）财报中表示，他们将投资10亿美元（约64亿人民币），进行SiC业务扩产。

● 3月11日，Soitec宣布将投资约23亿人民币，在法国伯宁总部建设Bernin 4新工厂，该工厂将主要致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圆。3月31日，该工厂举行了奠基仪式，一期投资额约14亿，目标产能为50万片/年。

芯片端方面扩产的则有富士电机、东芝等企业。

● 2月8日，东芝宣布将投资55亿用于功率器件扩产，其中包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。据介绍，东芝的姬路半导体工厂正在6寸生产线上生产 SiC 功率半导体，而东芝未来的方针是开发8寸的碳化硅生产线。

● 1月27日，富士电机对其子公司津轻半导体株式会社投资超38亿元人民币，以此来增加碳化硅功率半导体的产量，并计划于2024财年开始量产。

● 2月14日，日本TOREX公司宣布启动6英寸碳化硅器件线，并将在今年推出碳化硅MOSFET。

● 2月22日，Bosch（博世）官方公告称，他们将再投资2.5亿欧元（约18亿人民币），进一步扩大碳化硅等产能，新生产设施计划于2025年投入使用，目标产能是数亿颗。

● 3月18日，特斯拉选择韩国富川一家隶属于安森美的晶圆厂，为其生产SiC器件。目前，安森美正为建富川工厂生产线进行土地的平整工作，预计到2025年，该生产线SiC半导体产能将扩大到目前的10倍以上。

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