去年10月，名古屋大学用溶液法成功研发出6英寸SiC衬底（.点这里.），“三代半风向”最近了解到，这项技术的量产工厂今年6月将开工建设，今年12月就可投入运营，2023年春天将提供样品。

该工厂有2个目标，一是开发8英寸n型碳化硅衬底，将单片价格降低至5200元左右，占据全球10%的市场份额；第二个目标是提供8英寸p型碳化硅衬底，价格约为2.6万元。

投资近2100万元

建设8寸SiC晶圆厂

5月18日，日本OXIDE公司披露了碳化硅长晶等项目的业务计划。

根据公告，OXIDE于今年2月投资4亿日元（约2100万人民币），用于建设第五个工厂，该工厂专注于开发超高质量的8英寸SiC晶圆。

OXIDE此次扩产是为了响应日本新能源产业技术开发机构（NEDO）绿色创新基金项目 (GIF)的号召。

据悉，以OXIDE公司为主导的“下一代功率半导体的晶圆技术开发”的项目已被NEDO采纳，获得了186亿日元（约9.7亿人民币）资助。该项目旨在于2030年推出超高质量8英寸SiC晶圆，关键技术包括溶液法、人工智能、大直径抛光和检测等。

该项目的其他成员包括名古屋大学、Mipox株式会社、UJ-Crystal株式会社、Alxtal株式会社以及日本国立研究院。具体来讲，名古屋大学负责基础研究，OXIDE负责8寸SiC单晶的量产，mipox负责SiC衬底抛光、UJ-Crystal和Alxtal负责利用AI技术进行长晶工艺优化。

最终，三菱电机和日立等企业将基于该项目的8英寸SiC晶圆，用于开发用于新能源汽车等领域的SiC功率器件。

该工厂位于日本山梨县北森市，预计今年6月动工，今年12月开始运营，建筑面积为1248m²。

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4月14日，OXIDE总裁兼首席执行官古川康宪（ Yasunori Furukawa）曾表示，这个8英寸SiC晶圆项目于今年3月启动，相关设备已经开始引进，大约明年春天，他们将在山梨县真正开发SiC晶体生长，届时样品将发货。

Mipox社长、UJ-Crystal社长兼名古屋大学教授以及 OXIDE社长（从左到右）

OXIDE 成立于2000年10月，是一家专注于半导体及半导体设备领域的公司，于2021年4月在东京证券交易所上市。

目标市占率10%

最大优势是P型衬底

古川康宪引用数据称，2022年SiC 的市场规模预计将达到633亿日元（约33亿人民币），2026年将快速增长到1380亿日元（72.14亿人民币）。“我们希望以至少10%的市场份额为目标，即使是10%，也将对我们的业务产生相当大的影响。”

据其介绍，他们开发的碳化硅衬底非常有特色——p型和n型碳化硅衬底都能量产，“器件制造商要求我们尽快提供高质量的p型衬底，因此，我们计划尽快量产此类样品”。

通常，传统主流的PTV升华方法可以制造n型碳化硅衬底，但要获得p型则需要采用外延制造技术。而采用溶液法，只需要在SiC晶体中添加一种铝元素即可获得p型衬底。升华法难以制备p型衬底是因为铝的熔点较低，升华时会被蒸发，而无法进入晶体中。

也就是说，采用溶液法制备p型碳化硅衬底，就可以大幅省去外延生长工艺，除了提高晶体质量外，也可以大幅降低成本，所以器件企业对这项技术的期望很高。

成本方面，古川康宪透露道，“我们预计8英寸n型碳化硅衬底的售价约为10万日元(约5227元人民币)。8英寸p型碳化硅衬底方面，有很多用户可以接受的报价是50万日元（约2.6135万人民币）左右。”

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