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福特/大众将搭载国产SiC?
第三代半导体风向 | 2022-04-25
行家说

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行家说“一周要闻”又来了!

碳化硅方面,应用趋势不断增强,比如英博尔的SiC电机控制器已被美国福特、一汽大众采用;易事特的SiC充电桩等关键技术预研取得了突破进展。

氮化镓方面,技术研发风气也越发浓厚,比如湖南矽茂投入5000万元开发5G基站氮化镓电源;芯朋微投入1000万研发车硅氮化镓驱动;晶导微电子投入1400万元研发氮化镓合封技术。

碳化硅

行家说

近9000万!台湾计划补贴3家SiC/GaN企业

据台媒4月24日报道,中国台湾省经济部预计拨出4亿台币(约9000万人民币),首阶段重点是培养台湾境内自制8寸碳化硅长晶炉设备的能力,将在5月投资2家半导体厂,分别是导电型与绝缘型。计划每家补助一半研发经费,最高1.5亿台币(约3300万人民币)。此外今年也会投资1家8寸氮化稼磊晶设备厂,最高1亿台币(约2200万人民币),目标是在2024、2025年实现长晶炉与磊晶设备自主化生产。

福特、大众采用英博尔SiC电机控制器

4月23日,英搏尔2021年年度报告显示,他们的“集成芯”驱动总成2.0产品第三代半导体碳化硅(SiC)的应用,是实现新能源汽车电机控制器功率密度和效率大幅提升的关键要素,也是800V高压大功率发展场景下,缩短充电时间,增加续航里程的重要手段,对于提升用车体验有重要意义。

目前该公司已向美国福特汽车交样SiC电机控制器,一汽大众搭载该公司采用SiC单管集成的双电机控制器联合开发顺利推进,在电机控制器向高压大功率发展的技术迭代过程中,具有明显的先发优势。

易事特:碳化硅充电桩等取得突破进展

易事特2021年年度报告显示,他们在SiC水冷充电桩智能锂电能源互联网、SiC应用等关键技术预研取得了突破进展。

其《碳化硅晶片、功率器件和高频电能变换关键技术研发及产业化》项目,主要研发基于 SiC 技术的矩阵变频(AC/AC)、组串式光伏逆变器( DC/AC)、 直流充电桩双向 AC/DC 变换器、储能电池功率接口装置( DC/DC),并进行示范应用。

目前该项目已经实现产品批量生产销售,完成基于碳化硅器件的新一代 UPS 电源、高压直流电源、矩阵变换器、直流充电桩、光伏逆变器的产品研发。

泰克联合忱芯:

交付全自动化SiC功率模块动态测试系统

近日,泰克科技联合忱芯科技向北京理工大学深圳汽车研究院交付了一台全自动化SiC功率模块动态测试系统。该系统为今年度向客户交付的第五台SiC功率模块动态测试系统。

去年,泰克科技与忱芯科技在“碳化硅功率半导体及应用研讨会”上结成了全范围的战略合作联盟,进行深度整合资源,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

创能动力与应科院、ASM太平洋科技

合作开发碳化硅电源模块

4月21日,香港应用科技研究院、ASM太平洋科技有限公司与创能动力科技有限公司(APS)宣布,携手合作开发基于碳化硅的新能源汽车电源模块。

氮化镓

行家说

湖南矽茂:投入5000万元开发5G基站电源

根据湖南新闻联播,湖南矽茂半导体有限公司总经理逯义平表示,今明两年,他们公司将研发重点放在1000 至5000瓦系列氮化镓电源系统芯片,计划投入5000万元,和中国电信、中国移动、国家电网等央企合作,开发 、生产适合通讯机房、5G基站、大型服务器、国家电网的物联表等项目,全面开展关键系统的进口产品替代。

爱发科推出溅射法GaN外延生长模块

4月20日,ULVAC宣布开发了使用溅射法的 GaN 外延薄膜形成技术“RaSE 方法”和使用该技术的溅射模块“SEGul”。ULVAC应用长年培育的溅射技术,开发出新的“RaSE法”,通过溅射法实现了GaN的外延生长。“SEGul”将把这项技术优化为可用于生产线的大直径溅射器件,并将其作为制造GaN器件的新选择。* RaSE:自由基辅助溅射外延

宾夕法尼亚州立大学:

研究GaN电子辐射效应应用

据外媒4月20日报道,宾夕法尼亚州立大学领导的一项新资助的国家合作项目获得了美国国防部授予的价值 750 万美元的国防多学科大学研究计划奖,这笔资金将用于研究如何提高由氮化镓制成的电子产品的抗辐射性,以更好地发挥其辐射硬度的潜力,应用到现实制造电子产品中。

芯朋微投入1000万研发车硅氮化镓驱动

无锡芯朋微电子股份有限公司 2021 年年度报告显示,他们正在开展”高频大电流氮化镓 驱动芯片研发“项目,预计投资规模为1000万元,目标是提升 GaN 功率器件用驱动芯片工作频率, 提高系统工作频率、减小无源器件尺寸、 缩小系统体积、提升电源功率密度,目标应用包括5G 通讯、云计算服务器及电动汽车。

晶导微电子:

投入1400万元研发氮化镓合封技术

据晶导微电子招股书,他们正在开展“氮化镓 PD-65W 应用器件先进封装关键技术研究与开发”项目,项目投入金额为1400万元,目前已完成工艺的设计开发,进行小批量的工艺验证和产品的性能评估。该项目的目标是实现集信号检测控制和氮化镓驱动于一体的开关功率器件,用于快充产业。把驱动芯片和氮化镓芯片整合到一起,解决电磁干扰,散热的关键问题,提升驱动电压的精度和频率。

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