行家说消息   3 月 23 日，Kyma 开发了一种新型氢化物气相外延 (HVPE) 工艺，用于生长用于电力电子应用的轻掺杂 GaN 薄膜的厚膜。

作为一种无碳且高增长率的工艺，HVPE 能够在GaN上常规生长几十微米的 GaN，其自由载流子浓度范围为 5x10 15 cm 3到 5x10 16 cm 3.

由于掺杂控制的挑战和低得多的生长速率，此类薄膜难以使用传统的生长技术（如 MOCVD）生长。现在有了这种轻掺杂薄膜，器件制造商可以开发具有垂直架构的 GaN 功率器件，用于 1.2kV 及更高电压的应用，例如电动汽车充电器、车载 DC-DC 转换器、工业电机、太阳能光伏逆变器等。